你知道吗？芯片的制造工艺，就像人类的基因一样，决定了它的性能和特点。而在芯片的制造过程中，有一个关键的步骤，就是光刻。光刻就是用光线在硅片上刻画出电路的图案，就像在纸上画画一样。但是，随着芯片的技术不断进步，电路的图案越来越细致，就像一幅精美的微缩画，需要用更强的放大镜才能看清楚。而这个放大镜，就是光刻机。

从原理上来看，产生极紫外光有3种方式，分别是同步辐射、电子放电产生等离子体、激光驱动产生等离子体，根据这三种原理，目前EUV光源有四种可能的实现模式——激光等离子体、同步辐射、超导加速-高功率自由电子激光器以及稳态微聚束，最近被大家所热议的正是最后一个：由清华大学工程物理系提出的稳态微聚束，也就是SSMB。

和ASML EUV光刻机有什么不同呢？ASML的方案叫“锡滴轰击法”，过程简单来说就是：先熔化纯锡，然后将它们用特制的喷嘴喷出，形成每个锡滴直径严格控制为27微米的锡雾，接着用二氧化碳激光照射锡雾，像打靶一样把每一个锡滴都压成饼状，此时立马用另一束激光照射这个锡饼，锡饼就会开始发出波长10~100nm的光，接着用反射镜将锡饼发射的光反射出去，使用光学手段筛选出其中13.5nm的极紫外光，并投射到晶圆上，开始光刻。

而SSMB光源就粗暴多了，它需要一个直线加速器，让电子束在其中以近光速的方式飞行，然后为它施加一个电磁场使其转向减速，此时电子束会损失一定的能量，并且这个能量会以电磁波的方式传出去，而我们知道光也是电磁波，所以想要得到怎样波长的光，就只需要控制电子束的能量就行。

所以光刻厂的方案最诱人的地方就在于它能获得高功率、高重频、窄带宽的相干辐射，别说波长13.5nm的极紫外线了，5nm波长的软X射线不在话下，而且功率最大可达4000W。

作为对比，ASML公司EUV光刻机所采用的锡滴轰击法功率也不过数百瓦。而且这个SSMB-EUV可以做成一个大环，上面有很多EUV光源束线，同时让好几个光刻机开工，在整个光刻厂的一切设备都围绕这个光源来设计。

国产EUV光刻机的成功研发，将有望使中国在光刻机领域超越荷兰ASML，成为全球领先的半导体生产设备供应商。而美国主导的芯片封锁联盟，也将瞬间土崩瓦解。曾经有人说，光刻机太过复杂，中国无法造出。然而，仅仅过去短短三年，中国已经实现了对EUV光刻机的突破。

这一胜利象征着中国科技实力的崭露头角，将中国置于全球半导体产业的制高点。从华为Mate60芯片的突破到光刻机领域的创新，中国正在以惊人的速度崛起，为全球科技格局注入新的动力，同时也为我们打开了前所未有的商业机会。

尽管道路仍然充满挑战，但中国坚定的决心和不懈的努力将引领我们走向更加辉煌的未来。继华为Mate60 芯片突破后，中国在光刻机领域，实现突破和超越指日可待。AI领域卡脖子将不复存在 ，新的技术引领必将带来新的世界格局和商业机会。

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