在半导体制造领域，技术的每一次革新都意味着生产效率与产品性能的显著提升。近日，英特尔院士兼光刻总监Mark Phillips在公开场合继续了关于High NA（高数值孔径）极紫外光刻（EUV）技术的深入讨论，这一举动无疑为整个行业带来了新的期待。
ASML推进High NA EUV技术在最近的SPIE大会上，ASML的新任首席执行官Christophe Fouquet发表了演讲，重点介绍了公司的High NA EUV曝光机技术。
Fouquet指出，与现有的标准EUV曝光机相比，High NA EUV曝光机不太可能出现延迟交付的情况。ASML已经开发了一种新的组装扫描器子组件的方法，即直接在客户工厂进行安装，省去了拆卸和重新组装的步骤，这将显著节省ASML和客户的时间与成本，有助于加快High NA EUV曝光机的发货和交货流程。
随后，英特尔院士兼曝光技术总监Mark Phillips上台发言，确认英特尔在波特兰工厂已经安装了两套High NA EUV曝光系统。Phillips还公布了一些数据，显示High NA EUV曝光机相较于标准EUV曝光机带来的改进可能比预期的要多。
Phillips强调，得益于之前的经验，第二套High NA EUV曝光系统的安装速度比第一套更快。所有必要的基础设施已经准备就绪并开始运行，用于High NA EUV曝光的掩模检测工作也已按计划启动，使得英特尔能够顺利地将该系统投入生产。
此外，Phillips还讨论了化学放大抗蚀剂（CAR）和金属氧化物抗蚀剂的问题。他表示，尽管目前CAR仍能满足需求，但未来可能需要金属氧化物抗蚀剂。英特尔的目标是在2026至2027年量产Intel 14A制程技术，并将进一步提升制程技术。
英特尔已经完成第二套High NA EUV光刻机组装ASML 新任首席执行官 Christophe Fouquet 近日在SPIE大会上介绍了ASML的High NA EUV光刻机，并表示英特尔的第二套 High NA EUV光刻机已经组装完成。
Christophe Fouquet表示，High NA EUV光刻机将不太可能像当前标准EUV光刻机那样出现延迟交货的情况，其原因是ASML找到了组装扫描仪子组件的新方法，就是直接在客户工厂进行安装，无需经历拆卸及再组装的过程，这将大大节省ASML与客户之间的时间和成本，有助于加快High NA EUV光刻机的发货和交货。
英特尔院士兼曝光技术总监Mark Phillips在Christophe Fouquet之后的演讲中也表示，英特尔已经在波特兰工厂完成了两套的High NA EUV光刻系统的安装。
此外，Mark Phillips 还公布了一些的数据，说明了 High NA EUV光刻机相对于标准EUV光刻机所带来的改进，通过High NA EUV光刻机应用出来的改善结果可能要比之前想象中还要多。
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