笔者之前一遍关于芯片设计的华为四重曝光技术专利文章，提到新品手机有可能用到新专利的5nm芯片，不过这篇几乎全平台都被下架了，这明显不是平台问题，其中原因懂得都懂。从专利到实际芯片量产，还需要经历漫长的研发之路。

一般而言，最先进的DUV光刻机通过多重曝光技术能够生产出7纳米芯片，但成本和良率较高。然而，实现7纳米、5纳米乃至更先进工艺的芯片通常需要依赖EUV光刻机技术。但现阶段由于EUV光刻机的供应受限，购买不到最先进的DUV设备，因此要实现7纳米和5纳米工艺几乎是不可能的。

先进的DUV光刻机一般采用的是193纳米波长的深紫外光源，已被应用于7nm（N7)、7nm、14纳米及更早的工艺。然而，随着工艺的不断微缩，DUV的能力已经逐渐达到瓶颈，因此像台积电和三星等厂商都开始引入极紫外光源的EUV光刻工艺。EUV的波长仅为13.5纳米，相较于193纳米的DUV光刻机，其制程能力提升了十倍以上，为未来的工艺微缩打开了更广阔的空间。

就以华为Mate 60 Pro搭载的麒麟9000S处理器为例，虽然华为并未公布其制造工艺，但根据国内技术水平和生产设备，采用5纳米工艺几乎是不可能的。然而，有研究表明，麒麟9000S芯片的性能接近甚至达到了7纳米制程，可能是由于晶体管分布较为密集、排列整齐所致。或者，华为采用了3D芯片堆叠技术，将两块14纳米制程的芯片堆叠在一起，发挥出了与7纳米制程芯片相当的性能。但这种方式生产的芯片相对容易被辨识，因此可能性不大。

关于“自动对准四重图案化半导体装置的制作方法及半导体装置”专利技术公示后，目前的理论解析来看，这一技术可以通过叠加多次曝光过程，利用现有先进的DUV光刻机设备实现对芯片电路的精确构建。也就是在没有EUV光刻机的情况之下生产出较为先进的芯片。

台积电在2017年曾试图实现多重曝光技术，但良率过低、成本过高，最终放弃了这一尝试。假设一次曝光的良率与台积电相当，达到90%，经过四次曝光后的芯片良率为0.9×0.9×0.9×0.9，这说明华为要实现四重曝光技术的难度有多大，成本将会相当高昂。早期台积电采用的是三重曝光和刻蚀，但发现良率和效率都较低。对于先进逻辑工艺后段，存在着12层以上的金属连接线，这样的工艺流程要求并不可接受。因此，明智的选择是采用EUV的一次性曝光和刻蚀。

四重曝光方式并没有解决芯片制造过程中的瓶颈问题，也不值得过多讨论。当然，通过技术手段可以提高良率、降低成本，但绝不能超过EUV光刻机本身生产的芯片。可以说，四重曝光的良率低、性能差、功耗大、成本高是不争的事实。华为的四重曝光技术面临着较高的技术挑战和成本压力，尚未达到超越EUV光刻机制程的水平。

年初，ASML撤回了两款浸没式2000i DUV光刻机的出货许可，两台Twinscan NXT:2050i和Twinscan NXT:2100i型号光刻机无法交付给国内厂商，原因是一项出货许可被撤销。这明显能感觉到ASML已经无法供应先进的DUV光刻机给中国用户。尽管如此，1980i及之前的光刻机仍然能够自由出货，虽然无法满足先进芯片的生产需求，但却可以满足成熟制程芯片的需求。所以，ASML在2024得前两个季度是可以向中国市场出售较老版本DUV光刻机。

综合考虑目前现状，这项新专利“自对准四重图案化（SAQP）半导体装置的制作方法以及半导体装置”真正转化为实现量产新芯片过程还会较长的一段路要走，华为P70 Pro，华为Mate70 Pro等产品使用的芯片应该不会用到专利中提到的技术。但有没有比麒麟9000S更进化的芯片，还是有一定希望的，但性能提升不会太明显。