本周三于旧金山举行的高盛技术会议上，英伟达 CEO 黄仁勋向观众表示，台积电在应对英伟达需求方面展现出了“令人难以置信的灵活性和能力”，但他补充道，“如果有必要，当然，我们也可以选择其他供应商。”

虽然黄仁勋没有明确指出，但是其他供应商应该指的就是全球第二大代工厂三星电子。即使现在黄仁勋想更换到三星，分析下来可能性也是很小。

三星电子位于京畿道的平泽园区

去年，三星代工厂获得了英伟达 8 纳米工艺芯片的订单，例如用于汽车的 Tegra 芯片以及 2020 年推出的 RTX-3000 图形处理单元（GPU）。然而，今年三星并未能成功获得英伟达更先进的 AI 处理器订单，例如 H 系列或 Blackwell 芯片，这些芯片需要更先进的制造工艺。而三星的先进工艺目前良率依然太低！

三星引入3nm GAA 纳米技术始于 2022 年，当时三星表示已启动其尖端制造工艺的量产，与该公司的 5nm 节点相比，它将带来一波性能和效率优势。市场消息指出，三星积极提升3纳米良率，用尽解决方案使3纳米不陷入困境。报告显示，尽管“拼了老命”付出许多努力，三星3纳米GAA良率仍比量产水平低三倍。

据韩国时报报道，三星第一季3纳米GAA良率仅个位数，虽然有提升，但不幸的韩国分析师指出，三星须将良率提高到60%才能量产，才能让高通等客户对此制程有信心。

韩国时报的一篇报道提到，三星的 3nm GAA 良率在 2024 年第一季度为个位数。慢慢地，该公司成功地取得了进展，将这一数字提高到20%。不幸的是，虽然这是一个进步，但韩国分析师估计，三星必须将这一数字提高到 60% 才能开始大规模生产，因为其前客户（如高通）将开始表现出信心。

低良率不仅导致晶圆价格变贵，还会增加客户拿到正常芯片的时间，故台积电为何是客户首选。三星2纳米GAA也进展不佳，另一份报告提到，良率低至10%~20%。

此外由于三星良率不佳，市场传出美国德州泰勒厂撤出部分人员，以削减成本。路透社报道，可能是三星裁员计划的一部分，重新考虑晶圆代工策略和先进制程路线，故延后泰勒厂量产时间并撤出员工。

美国政府据《芯片与科学法案》最高提供64亿美元补助，以及其他优惠贷款，但三星要取得这笔款项恐怕有困难，因三星晶圆厂必须投产后才能拿到补助，这条件不太可能马上满足。

三星泰勒厂预定为生产SF4以下制程基地，包括SF3（第二代3纳米）和SF3P（正式名称为SF2）。但良率不如预期，特别是 SF3 / SF3P 良率过低，三星必须重新评估泰勒厂生产计划。一份新报告称，该公司已被迫从其设施中撤出人员，目前只留骨干员工。

三星代工良率低已流传多年，特别先进制程，使三星SF3E（第一代3纳米）仅生产挖矿芯片，未获其他客户青睐。三星仍称之为后继产品，SF3 和 SF3P 用于数据中心和智能手机处理器。

三星努力寻找解决方案因应挫折。事实证明，3纳米GAA制程如果达量产良率，有利英伟达等公司，因客户有更多选择生产AI芯片。遗憾的是，良率若无法提高，客户很难下单，AI 芯片代工商机还得被台积电牢牢把握。