中国芯片厂商取得显著技术进步，与三星和台积电的差距正在快速缩小，中芯国际、长江存储、长鑫存储、海思和紫光展讯已经在各自的芯片领域脱颖而出。 中芯国际已开发出与台积电首代7纳米工艺相似的7纳米芯片工艺，虽然制程仍落后，但差距已大幅缩小。我国DRAM动态随机存储器内存的技术差距与三星和美光不到1.5年，长鑫存储和福建晋华集成电路公司将DDR4内存价格大幅拉低，这两家公司制造的DRAM芯片价格比三星电子和SK海力士的同类芯片价格低50%。中国DRAM内存芯片厂商正在快速扩大DRAM产能，对韩国内存芯片制造商造成不小压力。目前，中国公司已经大规模量产DDR4内存，并且主导了内存市场，并且，中国公司也在努力实现DDR5的量产。长鑫存储的晶圆产能已从2020年的每月4万片增加到2024年的 20万片，预计长鑫存储今年在全球 DRAM 市场份额将超过 10%。行业研究机构集邦咨询预测，由于中国内存产能扩大，明年的DRAM产量将比今年增加25%。 通过吸引韩国和中国台湾的顶尖人才，技术进步以及政府大力支持，中国芯片公司正在快速发展。台积电现在已经将中芯国际视为其主要竞争对手，台积电许多关键研发和工艺工程人员已经被中芯国际招揽。尽管面临美国对先进光刻机设备的出口限制，中芯国际仍取得了技术进步，包括成功开发类似于台积电2018年至2019年第一代7 纳米工艺的7 纳米工艺。今年第三季度，中芯国际的季度收益创下历史新高，收入同比增长 34% 至 21.7 亿美元，营业利润飙升 94% 至 1.699 亿美元。业内专家预计中芯国际可能在2030年代中期就能和台积电抗衡。 全球晶圆代工市场目前排名：台积电占62.3%的份额，三星电子占11.5%，中芯国际占5.7%。 技术力量认为：中国芯片行业的崛起，既是自主创新的典范，也为全球市场注入了新活力。这一趋势不仅为中国高科技产业注入强大动能，也为未来的全球技术格局增添了更多可能性。
