利好来了！存储芯片量价齐升，行业公司名单出炉！
1、海外减产效应逐步显现：
2024年底，海外主流存储厂启动第二轮减产，NAND领域美光、三星西安工厂、海力士、西部数据平均减产幅度超10%，DRAM产能因转向高端HBM和DDR5持续压缩。业内预计减产效果将在2025年二季度逐步释放，供给收缩或推动价格回升。
DRAM中低端产能因海外厂商技术升级（如HBM/DDR5扩产）进一步受限，叠加国产厂商长鑫存储DDR5产品突破（市场份额预计2025年提升至10%），全球产能结构加速调整。
2、国产技术突破重塑竞争格局：
长江存储的Xtacking混合键合技术获三星专利授权，反映其技术不可替代性；长鑫存储DDR5芯片量产打破海外垄断，推动国产模组厂竞争力提升。
需求维度
3、算力基建与本地化部署驱动企业级存储增长：
国内互联网大厂IDC投资加码，存力需求仅次于算力，企业级存储受益于资本开支提升。例如，DS本地化部署（如金融、医疗行业）催生高安全性存储设备需求，冗余存储、加密技术应用强化设备升级。
4、大模型一体机（如DeepSeek-R1）单机存储需求达PB级，叠加阿里云“存算网三层池化”策略优化推理成本，存储需求进一步扩容。
5、AI终端爆发推动存储量价齐升：
AI终端（耳机、眼镜、玩具）渗透率提升，拉动NOR Flash、DRAM、NAND等芯片需求。2023年中国存储芯片市场规模已达6500亿元，AI浪潮下增速有望延续。
政策维度
6、顶层设计强化技术自主与绿色化：
GX部“算力强基揭榜行动”聚焦存储安全性、国产化，支持磁光电融合、存算网协同等技术方向，加速国产存储技术突破。
金融、国央企等领域国产替代政策力度加大，信创存储渗透率较低但需求明确，2025年ZW/军工领域或迎采购高峰。
总结国产替代窗口期打开：
中高端存储芯片国产渗透率仍为个位数，但AI+行动加速国产厂商技术迭代（如DDR5、Xtacking技术），政策与市场双轮驱动下，国产存储份额有望快速提升。
总结与展望
价格周期：NAND因供给收缩或于2025年二季度率先涨价，DRAM因高端产能挤兑及国产替代加速，价格回升稍滞后。
产业趋势：海外减产、AI需求爆发、政策扶持形成共振，国产存储厂商技术突破与市场份额提升将主导新一轮产业周期。
