IGBT和MOS管等功率半导体在电子电力装置和系统中扮演着“CPU”的角色,优异的功率半导体可使设备达到高效节能的效果,近年来IGBT的国产化进程也显著加速,与之对应的国产化测试设备也需求量旺盛。这类测试设备早期由瑞士和意大利等国外品牌占据。
动态、静态测试系统是IGBT模块研发和制造过程中重要的测试系统,其中动态测试指标对器件性能最为重要。因为诸如续流二极管的反向恢复参数,栅极-漏极、栅极-源极及漏极-源极的电容效应等会影响开关速度、开关时间和开关损耗,所以需要测量功率半导体器件的开关性能。此外如浪涌电流和雪崩能量等极限测试也是衡量半导体器件的重要指标。
而这些测试中,高精密的高压电源是不可或缺的。泰思曼TD2202和TCM6006,具备快速平滑的上升沿,可编程的输出波形获得客户的认可。
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