前不久华为Mate60发布，引起了全球的关注，不少业内人士和媒体都认为美芯禁令的限制已经失效，德国媒体更是直接表示：美芯禁令的效率太低了。事实上，虽然华为芯实现了突破，但是想要完成对美芯禁令的突破，实现中国芯自足还是需要一定时间的。

为了遏制中国的发展，美国联合盟友对中国芯进行围追堵截，试图利用自身在半导体领域的影响力将中国排除在国际供应链之外，锁死中国芯的发展。想要在不依靠国际供应链的情况之下发展出完整的芯片产业链是十分的困难的。

例如中国不仅要实现EDA软件、芯片指令集架构等芯片设计软件的突破，还要完成光刻机、蚀刻机、晶圆检测设备、离子注入机等6类23种半导体设备的国产化替代。所以说中国芯的发展之路任重而道远，还需要大量中国厂商的不懈努力。

让美西方没有想到的是，三方协议开始限制半导体设备出货之后，中国半导体设备厂商就实现了接连不断的突破和国产化替代，哈工大更是突破了光刻机的关键几乎，让不少外国媒体都纸糊：中企被低估。

哈工大实现技术突破

光刻机的制造十分困难，需要使用到诸多核心技术，特别是光源、双工作台和物镜这三个核心难点，最关键的是光刻机是芯片生产必不可少的重要设备，光刻工艺占据了整个芯片生产当中20%以上。

这也就意味着中国想要在美芯禁令的影响之下发展中国芯，实现光刻机的技术突破是必不可少的，想要实现先进芯片的生产，追赶上美西方在半导体领域的发展，还必须要打造出EUV光刻机。

EUV光刻机是目前最顶尖的光刻机，其生产工艺和制造水平堪称是人类现代科技的结晶之一。全球范围之内能够出货EUV光刻机的只有荷兰的ASML，ASML的EUV光刻机也需要全球供应链的支持和美、欧洲多国的技术支持，EUV光刻机的极紫外线工艺更是英特尔等多家半导体巨头联合研发出来的。

也正是因为这个原因，ASML的工程师才能够十分嚣张的表示：哪怕将EUV光刻机的图纸放在中国企业面前，中国企业也不一定能够制造出先进的EUV光刻机。事实上，ASML工程师的嚣张态度估计是要被打脸了，中国在EUV光刻机方面已经实现了多个领域的技术突破，例如长春光机所就研发了EUV光刻机的光源工程样机。

近期，哈工大更是传出新消息，实现了最新的技术突破。中国自主研发出了一台能够在350nm-28nm波长范围之内使用的超高精度激光干涉系统。这意味着中国在光刻机的光源方面实现了跨越式的进展，再次解决了光刻机的核心难题之一。

中国设备的发展

前不久，美国联合日本、荷兰签订三方协议，限制半导体设备出货，基本上包括光刻机在内的所有半导体设备都被限制出口，限制制程也达到了45nm以上。虽然ASML表示已经获得了出货许可，但是持续时间仅到24年1月1日。

这也就意味着，美国打算联合盟友断绝几乎全部45nm及以下半导体设备出货中国市场，想要让中国厂商因为缺少半导体设备而导致倒退回45nm制程。可是让美国没有想到的是，从三方协议签订到9月1日荷兰正式开始限制半导体设备出货，中国竟然在多个领域都完成了国产化替代。

从目前的情况来看，上海微电子将在明年上半年之前出货28nm光刻机，此外中微电子等中国设备厂商在蚀刻机、晶圆检测设备、离子注入机、曝光设备等领域也实现了极大程度的突破，甚至很多领域都完成了28nm的国产化替代。

此前中芯国际还传出消息，将要联合盟友完成28nm非美技术全流程的突破，并且计划在12个月之内完成7nm非美全流程的突破。想要完成非美全流程的突破，意味着最起码要在关键半导体设备方面实现国产化替代。

事实上，中国设备正在逐渐实现国产化替代，那些跟随美国一起限制半导体设备出货的日本、荷兰、美国厂商则可以说是损失惨重。全球排名第二，日本排名第一的半导体设备厂商尼康今年第二季度的光刻机出货量暴跌60%，从此前的15台出货暴跌到了6台出货，营收和净利润也在迅速暴跌，可以说损失惨重。

中国在光刻机、蚀刻机等半导体设备方面正在迅速发展，哈工大的突破只不过是中国实现突破的众多之一，也那怪美国媒体会表示：低估了中企。

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