第一，原理是很简单的：先镀一层金属薄膜，再涂一层感光胶，再按图案曝光，再洗掉不需要的胶（曝光后不需要的胶会被碱性溶剂（或有机溶剂）洗掉），再用酸洗（蚀刻）掉不需要的金属薄膜（洗掉未覆盖胶的金属薄膜，在设定的温度和时间内被胶覆盖的金属薄膜洗不掉），再用超高浓度的碱性溶剂或有机溶剂洗掉（剥膜）剩余的胶，留下来的就是所需要的金属电路。

第二，这可是个技术活，要先在芯片上种植一棵晶体管，然后放进微波炉，每天定期给芯片施加所需肥料（用途不同肥料不同），晶体管在芯片上会突变式增长，时间越长晶体管数量越多。另一方面，至目前，芯片上仍不能制造大电容，也许永远都不能。芯片上的电容基本上都是几个微微法级的。也不做大功率的电阻，都是亳瓦甚至更小瓦级的，以减少产热。

第三，没有这样简单，IC集成电路的结构非常复杂，这几十亿个晶体管要有逻辑的连接成各种功能的电路，如控制单元，CPU中的运算、寄存、总线以及各种功能模块，这些多功能模块集成在一块不到100～400平方毫米的芯片上，不僅工艺复杂，设计也相当困难，而且要求有较高的成品率。所以，可以说大规模Nm级集成电路是当今世界上最复杂的制造工艺。

第四，简单的说，光刻就是用光来制作一个模版，然后用这个模版盖住晶圆，然后经过高温往晶圆里扩散别的金属，模版遮住的部分扩散不进去，没遮住的部分金属就扩散进去了，这就改变了晶圆的导电性，形成了不同的元器件，有二极管、三极管、电阻、电容等。至于连接这些元器件，先在刚才制作好的晶圆上覆盖一层绝缘层，根据所需连线再制作一个模版，盖住这个晶圆，然后用腐蚀液把模版没盖住的地方腐蚀掉，最后再把腐蚀过的地方，填上导电的金属，线就连好了。实际过程比较复杂，根据实际情况会用很多模版。

第五，科普一下，半导体器件都是通硅单晶片制造、先说单管(三极官、二极菅)都是制在硅片上、然后切开封装即可。工艺上即通过光刻耒制掺杂选区、电连接线图形来实现的。集成电路即将由分立件组成的电路在硅片上通光刻连线来实现，这时硅片形成一块块的完整功能电路、目前都是规模很大(三极管数量)、尺寸愈来愈小、即高集成度IC。其工艺原理是一样的，但设备精度高到一个天花板、电路一般为模拟与数字电路两种、目前主要说的数字电路、且为MosZ艺、二进制运算、布尔逻辑电路。

第六，芯片其实没有完整的图纸，只有加工程序。仿靠某某芯片是绝对行不通的，这比任何迷宫都复杂。大规模芯片是迄今为止人类制造的最复杂的东西，没有精密的仪器和合理的辅助软件，永远都无法完成大规模芯片制造。因此，芯片又是精密化学腐蚀以及复杂程序开发管理的结合物，是除了外星人之外人类最智能的产物。

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