12月11日消息，根据日本两大芯片制造商罗姆半导体（ROHM）和东芝电子设备与存储公司上周五发布的联合声明透露，双方在功率半导体制造和增加批量生产方面的合作计划已得到日本经济部的支持，双方将共计获得 1,294 亿日元（9.02 亿美元）的补贴，以支持其在日本国内的功率半导体的生产。

根据声明显示，罗姆和东芝将分别对碳化硅（SiC）和硅（Si）功率器件进行密集投资，有效增强其供应能力，并实现互补利用对方的生产能力。

其中，罗姆计划将大部分投资（总计 19.9 亿美元）将用于其主导的 SiC（碳化硅） 晶圆生产。东芝则计划投入 6.84亿美元开发更传统的硅基功率芯片。罗姆和东芝两家公司的总投资将达3883 亿日元（26.7 亿美元，其中包括补贴），将有助于日本扩大功率半导体产能。

罗姆表示：“我们专注于电力和模拟解决方案，通过满足客户对节能和产品小型化的需求来解决社会问题”，并加快实现无碳目标。SiC功率器件是节能的关键。自全球首次大规模生产SiC MOSFET以来，罗姆一直在不断开发行业领先的技术。其中包括罗姆最新的第4代SiC MOSFET，它将被用于许多电动汽车和工业设备。作为其优先项目之一，罗姆正在致力于SiC业务，其中包括积极和持续的投资，以提高SiC的生产能力和满足强劲的需求增长。

东芝电子设备与存储公司也表示，过去多年来，其一直提供硅功率器件，主要用于汽车和工业市场，这有助于确保节能解决方案和设备小型化。该公司去年开始生产300毫米晶圆生产线，并正在加快投资，以提高产能和满足强劲的需求增长。它还充分利用其在铁路车辆应用方面培养的专业知识，推动了更广泛的SiC功率器件的开发，特别是用于汽车、输电和配电应用。

值得注意的是，罗姆已经宣布参与东芝的私有化，但这项投资并不是双方制造业合作的起点。在半导体行业日益激烈的国际竞争下，罗姆和东芝电子设备与存储公司一段时间以来一直在考虑在电力设备业务上进行合作，这导致了联合应用。双方将通过对SiC和Si功率器件的密集投资，在制造功率器件方面进行合作，分别致力于提升两家公司的国际竞争力。两家公司还将寻求为加强日本半导体供应链的弹性做出贡献。

日本经济再生大臣西村康稔在上周五的新闻发布会上也称赞，LOMO和东芝的此次合作是巩固日本半导体领导者地位的一步，并表示政府将计划对本地生产进行类似投资。他表示：“国内功率半导体制造商之间的合作对于提高日本产业的国际竞争力至关重要。”

与标准硅功率器件相比，SiC芯片在更高电压下往往效率更高。因此，SiC 组件越来越多地应用于电动汽车中大量使用的牵引逆变器和 DC-DC 逆变器。这种更高的效率对汽车制造商产生了连锁反应，从而可以减轻重量、减少电池磨损并延长电动汽车的续航里程。

目前，美国、欧洲和日本的几家芯片制造商集体宣布投资数十亿美元建设新的碳化硅晶圆厂和研发设施，以增加国内供应。根据主要碳化硅元件生产商安森美半导体预计，到 2023 年，SiC 芯片的出货量将超过 8 亿美元，主要用于汽车市场，收入是去年的 4 倍。

与此同时，博世宣布收购美国芯片制造商TSI Semiconductor，以增强其在美洲的碳化硅供应链。虽然交易条款尚未披露，但博世已承诺向 TSI 罗斯维尔园区投资约 15 亿美元。

意法半导体还透露了将 SiC 晶圆生产引入内部的计划，据称此举将在本世纪末带动 50 亿美元的年收入。

当然，还有美国北卡罗来纳州的 Wolfspeed，该公司获得了12.5 亿美元的融资，用于扩大其碳化硅和氮化镓产能。

编辑：芯智讯-浪客剑