近期半导体项目公示信息

01砷化镓半导体晶圆生产线项目

项目概况

砷化镓半导体晶圆生产线项目（以下简称“本项目”）位于珠海市高新区金瑞二路（道路建设中、龙图科技旁），总占地面积39534.77平方米、建筑面积 73740.33平方米，总投资338707万元，建设年产18万片6英寸砷化镓半导体晶圆代工生产线及配套设施。

02 12英寸硅基OLED微显示器制造项目

项目概况

项目分二期建设，一期计划总投资150000万元，建筑面积8.66万平米，拟 建设一条12英寸硅基OLED微显示器生产线，一条12英寸硅基OLED微显示器研 发线，建成后年产4.8万片12英寸硅基OLED微显示器；二期计划总投资500000 万元，建筑面积6.7万平方米，年产19.2万片12英寸硅基OLED微显示器。

03 年产30亿颗芯片封装项目（一期）

项目概况

项目总建设面积32000立方米，建设年产30亿只半导体IC集成电路系列芯片生产线10条，包含MCU、IGBT模块、DFN、QFN、SOP、SOT、MOS等系列芯片（微电子中央控制处理芯片）生产线，构建无尘智能化生产线及生产设备的塑封车间、键合车间和测试车间，产品研发中心、产品展示中心。

04 氮化硅MOS芯片制造一期项目

项目概况

本项目将租用芯联集成现有已建A2模组生产厂房闲置区域，建设一条月产0.5万片的6/8英寸兼容碳化硅MOS芯片制造生产线，先形成6英寸碳化硅MOS规模化制造及技术的持续研发和产品积累，待国内8英寸碳化硅衬底片和外延片具备批量供应能力后，快速切换到8英寸，以实现碳化硅MOS产业化制造6英寸向8英寸快速转移，本项目建成后将形成6/8英寸碳化硅晶圆6万片/年的生产规模。

05 新建年产350万片5吋功率半导体分立器件芯片及封测项目

项目概况

项目主要建设2座生产车间、1座配套车间、1栋办公楼、1栋宿舍餐厅等，购置扩散炉、光刻机、清洗机等设备500台（套），以外购硅片为主要原料，经检验、清洗、表面处理、光刻、化学镀、晶粒清洗等工艺生产GPP芯片，以自产的部分GPP芯片为原料，经填装、焊接、注胶成型、固化烘烤、冲压分离、镀锡等工艺生产晶闸管、TVS。项目投产后，GPP芯片总产量为350万片/年，其中120万片/年用于封测生产晶闸管3亿只/年、TVS5亿只/年，其余230万片GPP芯片作为产品外售。