如果我们想实现线路上电流的单向流通，比如只让电流由A->B，阻止由B->A，请问可以怎么做？

方法一：加入一个二极管

但加入二极管会带来接近0.7V左右的压降，在一些通过大电流电路中会引起较大的功耗，这是不允许的。那么能不能用MOSFET来实现这个功能呢？

方法二：加入MOS管

所谓的MOS管的隔离作用，其实质也就是实现电路的单向导通，它就相当于一个二极管。那在实际电路中是如何实现的呢？其实，这就是许多电路中设计的MOS管防反接电路。

PMOS管防反接电路：

为了降低二极管的正向压降，可以将二极管替换为 P 沟道 MOSFET，并使其体二极管与常规二极管的方向相同。如上图所示：在正常工作期间，MOSFET 的体二极管将被正向偏置，并导通很短的时间，直到栅极电压被拉至源极以下时会将 MOSFET 导通。当电源极性反转时，栅源电压变为正电压，并将 MOSFET 关断，从而保护下游电路免受负电压的影响。

G 极增加了电阻分压和稳压二极管一方面是为了保证 G 极和 S 极之间的压差，让 MOSFET 管能保持稳定打开状态。另一方面稳压二极管可以保护 MOSFET 的栅源极不被过压损坏。 后面讲MOS管参数的时候，在分析MOS管在什么情况下会导致损坏。

当然也可以用NMOS管来实现，但都需要注意体二极管的方向一定与正确电流方向一致。

用MOS管防反接的优点是：

1）导通几乎没有压降，导通功耗小，适用于大功耗负载电路；

2）缺点当然是成本高，电路复杂一些；

MOS管防反接设计小结：

1）无论NMOS，还是PMOS管，MOS管的接法是要保证体二极管方向与电流单向导通方向一致，也就是保持正向导通。这一点与MOS管用于开关的接法是相反的，MOS管用于开关作用，体二极管是反向截止的。

2）PMOS管是设计在电源正级回路上的，NMOS管是设计在电源负级回路上的。

极限参数：

Vdss=-40V，和二极管类似，可以简单认为是PMOS的体二极管的反向最大耐压。

Vgss=±20V，这个值是一个闭区间，-20V~+20V，也就是不能太大，也不能太小。也正是这个原因，上面用PMOS管的防反接电路要接一个稳压二极管，以保护Vgs电压在一个合理范围内，避免引起MOS管的Vgs超出范围导致管子损坏。

Id:漏极最大直流电流，33A；

Idp:最大脉冲电流100A；

PD：耗散功率48W；

Tj，Tstg:结温和存储温度：-55~+175°；

电气参数：

电气参数中包含静态参数和动态参数：

上图画圈的是重点关注的参数，除了Vdss，就是开启门限电压Vgs，这个值表示Vgs需要达到这个电压范围，才开始将漏极和源极导通，测试条件是Vds=-10V，Id有1mA就表示开始导通。

RDS(on)表示MOS的导通电阻，一般来说导通电阻越小越好，其决定MOS的导通损耗，导通电阻越大损耗越大，MOS温升也越高，在大功率电源中，导通损耗会占MOS整个损耗中较大的比例。

gfs 表示正向跨导，反映的是栅极电压对漏源电流控制的能力，gfs过小会导致MOSFET关断速度降低，关断能力减弱，过大会导致关断过快，EMI特性差，同时伴随关断时漏源会产生更大的关断电压尖峰。

Ciss 表示输入电容，Ciss=Cgs+Cgd，该参数会影响MOS的开关时间，该值越大，同样驱动能力下，开通及关断时间就越慢，开关损耗也就越大。

Coss 表示输出电容，Coss=Cds+Cgd；Crss表示反向传输电容，Crss=Cgd(米勒电容)。这两项参数对MOSFET关断时间略有影响，其中Cgd会影响到漏极有异常高电压时，传输到MOSFET栅极电压能量的大小，会对雷击测试项目有一定影响。

Qg、Qgs、Qgd、td(on)、tr、td(off）、tf 这些参数都是与时间相互关联的参数。开关速度越快对应的优点是开关损耗越小，效率高，温升低，对应的缺点是EMI特性差，MOSFET关断尖峰过高。

可以看到，MOS管的相关参数其实有很多，其实，在一般应用中，我们主要考虑漏源击穿电压VDS、持续漏极电流ID、导通电阻RDS(ON)、最大耗散功率PD、开启电压VGS(th)，开关时间，工作温度范围等参数就可以了。