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碳化硅齐纳二极管简介碳化硅齐纳二极管是一种特殊类型的二极管,它利用碳化硅材料的优越性能来实现稳定的电压调节。齐纳二极管本
雪崩击穿是指:材料掺杂浓度较低的PN结中,当PN结反向电压增加时,空间电荷区中的电场随着增强,这样通过空间电荷区的电子,
假设x(t) 为输入量,y(t) 为输出量, G(s)为传递函数。1. 惯性环节, 又称为非周期环节。2. 惯性环节的电
我们知道一个完整半导体:其中一部分掺入受主杂质原子形成P区,而相邻的另一部分掺入施主杂质形成N区,分割成P区与N区的交界
假设x(t) 为输入量,y(t) 为输出量, G(s)为传递函数。1. 微分环节, 输出为输入的微分。2. 比例微分环节
在微弱信号采集领域,采集电路的噪声水平是一个十分重要的指标,关系着目标信号的信噪比,因此,在进行相关电路设计的过程中,必
推挽软开关逆变器的实现,利用变压器的次级漏感作为谐振电感,具有减少器件、减少逆变器体积的优点,但也具有漏感存在一致性问题
在使用到电容的电路中,常会提到超前与滞后的概念,超前与滞后的参考基准是什么呢?首先,从电容的电流与电压关系,我们可以看出
这就是一个基本共射放大电路,如何对其分析呢?假设图中所有的量都是已知的,并且已知Ubeq(集电结开启电压),rbb
150V Gen.3 SGT MOSFET系列产品采用全新屏蔽栅沟槽技术,特征导通电阻Rsp(导通电阻Ron*芯片面积A
连续模式,输出二极管电流曲线如下图:假定电流的方向如下图所示:那么输出电容的电流为:输出电容的电流曲线如下图:图中阴影面
推挽MOS管的开关频率设置为27.624kHz,LC谐振频率为29.058kHz,使得推挽MOS管工作于零电压开关、零电
连续模式,电源输入电流,电感电流, 输入电容电流曲线如下图:输入电容电流:图中三角形面积,就是电容的充放电电量,电路达到
如下图所示,PN结终于呈现出让我们期望已久的单向导通(开关)特性。当年谁也没有想到,简单的0/1开关,最终会创造出怎样一
使用三极管的普遍场景是在已知电平值情况下,那么在只知道输入GPIO的高低却不知道具体的电平值时,如何将未知转换为已知呢?
输出电感的设计主要就是确定电感量,电感饱和电流和电感有效电流,饱和电流评估的是电感是否保持电感特性,饱和时,电感感量会急
新洁能650V Gen.7系列IGBT产品,基于微沟槽场截止技术,可大幅提高器件的元胞结构密度。采用载流子存储设计、多梯
1、工作原理1.1、工作波形1.2、模态分析1.2.1、模态1 :T0-T1在T0-T1工作区间之前,M1、M2的Vds
二.跨模块ESD设计现阶段芯片的集成程度越来越高,同一个芯片内可能集成数字电路,模拟电路,射频电路模块。不同模块的Pow
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