首席技术官承认，果然ASML担心的事还是来了！由于瓦森纳协议的存在，ASML的EUV光刻机不能自由出货。而且关键是，新工艺、新技术不断出现，这降低了对ASML光刻机的需求，但美仍要求ASML进一步收紧国际主流光刻机的出货，结果遭到了ASML的反对。尽管ASML一直都在努力实现自由出货，提升EUV光刻机的普及率，但现实是，ASML的时代正在划上“句号”，一切都在发生中。首先是光电芯片技术。光电芯片不同于传统的硅芯片，其具备更快的传输速度和承载量，更适合光通讯和万物联网时代，很多厂商都将光电芯片视为硅芯片的替代产品。在光电芯片领域，华为处于领先地位，已经在该领域内布局十年，并计划在英投资10亿英镑建设全球研发中心。芯片规则被修改后，光电芯片发展速度再次提升，因为光电芯片可以完全绕开美芯技术。荷兰投资11亿欧元研发光电芯片，欲打造另外的一个ASML，换句话说就是光电芯片技术更先进，更适合未来，关键还是还能够自由出货。其次，ASML承认NA已经到了尽头。ASML的光刻制造技术最为先进，目前的EUV光刻机可以将芯片制程缩小到3nm，甚至是2nm，但难度却不断提升。ASML正在研全新一代Hihg NA EUV光刻机，孔径值为0.55，其可以将芯片制程缩小到2nm以下，达到1.8nm，甚至更小。ASML已经正式对外宣布，将会在明年某个时间点交付High NA EUV光刻机，但ASML认为High-NA 将是最后一个NA，当前半导体光刻技术之路或已走到尽头。另外,ASML高管方面还表示正在研究降低波长，但他个人不认为 Hyper-NA 是可行的，他们正在对其进行研究。这就意味着High NA EUV光刻机将会是最后一个升级型号，未来不会有精度更好的NA 光刻机出现，虽然ASML也在研发其它技术，但目前没有方案。最主要的是，ASML之前也明确表示High NA EUV光刻机之后，将会把重点放在环保方面，说白就是降低功耗，节约能源。最后，亚纳米分辨率光刻机出现，但并非ASML研发制造。0.768纳米光刻机诞生，但这并非ASML研发制造，而是一家名为Zyvex Labs的原子精密制造技术推出的。据了解，该公司并没有用EUV技术，而是采用了电子束光刻机方式，可以制造出来0.768纳米线宽的芯片，这是ASML光刻机技术无法达到的精度。关键是，0.768纳米光刻机并非实验室产品，而是一款可以量产的产品，用户下单后就能够在6个月内拿到该光刻机。要知道，ASML全新一代High NA EUV光刻机的精度在1nm以上，预计交付时间是明年某个时间点，还没有准确的时间表。总结一下就是，光电芯片正在成为新趋势，而ASML表示High NA EUV光刻机将是尽头，而更先进的0.768纳米光刻机又出现了。