据外媒报道，特斯拉将使用台积电的N3P(性能增强的3纳米)制造工艺来制造其下一代全自动驾驶(FSD)处理器。如果信息准确，特斯拉计划在其FSD系统级芯片(SoC)或系统级封装(SiP)中使用非汽车级芯片技术节点。

台积电的N3P工艺是一项尖端的制造技术，具有高性能、高晶体管密度和相对较低的功耗。对于要求苛刻的处理器，比如特斯拉的FSD芯片，N3P可能正是其所需要的。

据报道，有几家公司承诺使用台积电该技术节点，问题是特斯拉到底打算什么时候使用这项技术?

此前的一份报告显示，特斯拉计划在2024年的某个时候在亚利桑那州使用台积电的N4技术来构建其全自动驾驶硬件芯片系统。

但由于台积电不得不将其美国Fab 21的量产时间推迟到2025年，特斯拉要么决定将其FSD设计移植到N3P并在台湾生产，要么将FSD芯片在美国的生产推迟6个月或更长时间。

由于有关特斯拉使用台积电N4或N3P技术的信息来自非官方来源，因此应该对此持保留态度。同时，值得注意的是，N4和N3P都不是针对汽车应用的，台积电将提供专门为汽车设计的N5A和N3A技术。

台积电的N5A制程技术已通过AEC-Q100一级标准，并以其严格的芯片质量和可靠性标准而闻名。符合AEC-Q100 Grade 1标准的SOC必须在-40至+150摄氏度的极端温度下工作，并经过多次可靠性和耐用性测试，以确保在恶劣条件下的长期性能。

此外，N5A坚持ISO 26262的功能安全要求和IATF16949的质量管理，缺陷预防和减少变异的要求。台积电的N3A将在质量、可靠性和寿命方面追随N5A的脚步。

为了提高汽车级应用的N3和N5生产节点，台积电不得不修改这两种技术，因此N3A和N5A技术不可能使用N3或N5 IP，这就是为什么特斯拉如果打算在以后采用N3工艺节点上设计FSD SOC或SIP会很奇怪。

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