首先，我国很早就开始了光刻机的研制，在上世纪70年代，清华大学与中科院合作进行光刻机的研发，在1985年就研制成功了一台g线分步投影光刻机，这比国外同类产品仅仅晚了6年。2002年我国成立了上海微电子装备有限公司(SMEE)，其研发团队主要来自中科院45所，目前为止，这也是我国仅有的一家光刻机研发单位。从今年发展来看，SMEE虽取得了很大成绩，但整体技术水平还是落后于西方发达国家。

光刻机的研制技术难点主要是解决精密度问题，光刻的原理就像在米粒大小的面积上，雕刻纳米级大小的文字，其难度可想而知，所以这需要持续的研发和技术攻关。此外，我国光刻机的研发还面临资金和人才的调整。研发光刻机这种高精尖设备投入大、投资回报时间长，民营企业出于发展目的，很少会主动投入光刻机的研发，所以这需要国家进行投资和组织，从国外发展来看，英特尔、台积电、三星为推进光刻机的研发，都是持续投入巨资，比如三星以38亿欧元购买ASML23%的股份支持其EUV光刻机的研发，可以说是不计成本，也由此奠定了他们在光刻机领域的地位。

与国外相比，我国缺少光刻机相关配套产业，而且由于西方国家的技术封锁，几乎不可能从国外获得技术支持，所以，我国光刻机的发展只能来源于自主研发，而光刻机研发人员的培养难度较大、培养周期长、人才流失严重，这些都大大制约了我国光刻机的发展。

其实总体来看，发展光刻机取决于国家的决心，过去，我们可以很容易买到国外芯片，而且自主研发投入大、风险高，这造成了我们国家很多人产生了“造不如买”的观点，但随着中美贸易战的加剧，美国开始对中国进行技术防范，比如“中芯事件”，对华为的各种制裁，这些事件终于使国内企业醒悟过来，不发展光刻机，中国永远把自身的命脉放在别人手里，国家工业将永远徘徊低端产业，所以，发展光刻机已经刻不容缓。