随着距离摩尔定律彻底时效越来越近，台积电与三星在下一代芯片制程工艺上的争夺愈发激烈。按照台积电、三星最初公布的计划，二者都将于2022年实现3nm量产。

前段时间，三星3nm更是屡传喜讯。在6月末时，三星表示，与Synopsys合作的采用GAA架构的3nm制程技术已经流片。

然而，就在众人以为三星胜券在握，终于要抢先台积电时，人们却发现事实似乎并不如此。

在7月13日举行的“2021国产IP与定制芯片生态大会”上，三星公布了一份新工艺线路图。图中显示，3GAP 3nm的量产时间竟然排在2023年。

据业界人士分析，图中显示的3GAP 3nm为加强版3nm工艺，而在此前三星宣传的一直是3GAE 3nm，也就是初版3nm工艺将在2022年量产。

据悉，三星3GAE 3nm或许是并未获得外部客户采纳，而出现了一定的问题，有被取消的可能。

若真如此，那么三星3nm量产就要比台积电晚上一年，这显然不利于其竞争。

不仅如此，三星3nm制程的性能指标也受到了业界的怀疑。

据台媒DigiTimes来自7月13日曝光的三星3nm制程工艺指标显示，三星3nm的晶体管密度为1.7亿颗/平方毫米。

三星的这一指标不及台积电5nm，甚至是英特尔7nm。据了解，台积电5nm的晶体管密度为1.73亿颗/平方毫米；英特尔规划的7nm晶体管密度更是有1.8亿颗/平方毫米。

三星3nm在晶体管密度上的巨大落后，不由令人对三星3nm芯片的性能产生怀疑。这使得三星3nm在台积电面前，竞争力大大削弱。

而且，三星5nm制程翻车，基于三星5nm的骁龙888出现了高功耗的情况，易造成手机发热的现象，这让人对三星的技术产生了不信任，令人怀疑其能否做好难度更大的3nm工艺。

由此来看，三星想要实现在10年里超越台积电，成为全球第一晶圆厂的目标，困难重重。而且，不只是台积电，三星还要面对来势汹汹的英特尔。

如今，英特尔已经决定开辟芯片代工业务，并计划在美国、欧洲等国家和地区建厂。英特尔野心勃勃，欲与台积电一较高下。

面对台积电、英特尔的前后夹击，三星面临的挑战骤然增加。如今，三星3nm又出现问题，这不由让人为三星的未来发展担忧。