她才是中国真正的超级巨星，将自己的一生都奉献给了祖国！ 在福建莆田的一个小院里，1918年，林兰英出生了，谁能想到，这个女孩日后会成为中国半导体领域的传奇人物。 林兰英打小就对知识充满了渴望，上学的时候，成绩一直名列前茅，那时候，女孩子读书并不容易，可林兰英愣是靠着一股韧劲，一路读到福建协和大学，后来还漂洋过海去美国深造。 在美国，她先后拿下迪金森学院数学学士，又在宾夕法尼亚大学钻研固体物理，拿到硕士、博士学位。 博士毕业之后，林兰英入职美国索菲尼亚公司，成了高级工程师，一头扎进半导体材料研究里，在她的带领下，公司成功造出第一根硅单晶，还拿下两项专利。 她发表的论文，也被美国列为专利技术，公司给她的年薪涨到10000美元，那可是相当高的待遇。 可林兰英心里一直都惦记着祖国，1956年，她借口“母亲重病”，申请回国，尽管知道回国后，收入只有美国的三十分之一，她还是义无反顾。 1957年，林兰英终于踏上祖国的土地，进入中国科学院物理研究所，刚回来，她就带着团队拉制出第一根锗单晶，第二年，第一根硅单晶也诞生了，中国一下成了世界上第三个能生产硅单晶的国家，这可太了不起了！ 1960年，林兰英到中国科学院半导体研究所当研究员，她主持设计制造出中国第一台开门式硅单晶炉，又用这炉子拉出第一根无位错的硅单晶，达到国际先进水平。 后来，她又把目光转向新型材料砷化镓，成功拉制出能用于微电子和光电子领域的砷化镓单晶，为我国第一只砷化镓二极管激光器问世创造了条件。 1987年，她带领团队用返回式卫星，成功从熔体中生长出砷化镓单晶，证明我国这方面研究居国际领先。 他们又多次在卫星上成功进行单晶生长试验，还利用空间材料制得了室温连续相干双异质结激光器。 林兰英的一生，都奉献给了中国半导体事业，她不光自己科研成果丰硕，还培养出一大批优秀科研人才。 2003年，林兰英离开了我们，但她留下的那些成果，还有那股子为科学献身的精神，永远激励着后来的科研工作者，在探索半导体的道路上，不断前行。 这才是该追的星！从美国高薪毅然回国，改写中国半导体历史！评论区致敬林兰英，点赞转发传递这份热血，关注我，不错过每个震撼人心的奋斗传奇！ 参考资料：澎湃新闻——科技人物|林兰英：被称为中国半导体材料之母
