史上最快存储速度！复旦大学亚纳秒级闪存技术登 Nature，未来电脑有望不区分内外存 复旦大学宣布在集成电路领域取得突破，周鹏-刘春森团队研发出“破晓（PoX）”皮秒闪存器件。该器件通过构建准二维泊松模型，预测超注入现象，打破了现有存储速度的理论极限。其擦写速度达到亚 1 纳秒（400 皮秒），相当于每秒可执行 25 亿次操作，成为目前世界上最快的半导体电荷存储技术。相关成果发表在《自然》（Nature）期刊上。该技术基于超注入机制，使电子无需加速即可高速注入，突破了传统闪存速度的限制。复旦大学表示，这项技术有望彻底颠覆现有存储器架构，未来的个人电脑将无需分层存储，并能实现 AI 大模型的本地部署。团队命名该技术为“破晓”，寓意打破既有存储速度分级架构。
