三星官宣：停产DDR4！
全球记忆体市场正经历剧烈变动。2025年4月，三星电子正式通知客户，将于本月终止1z制程8Gb LPDDR4记忆体的生产（EOL），并要求客户在6月前完成最后订单（LBO），最迟10月前完成出货。这动作标志着三星将彻底退出低阶LPDDR4市场，未来资源将聚焦于LPDDR5及以上高阶产品。业者分析，中国大陆厂商以低价抢市策略夺走低阶手机用LPDDR4订单，是促使三星退场的关键因素。
此次调整直接引发DRAM产品结构洗牌。韩系原厂加速将产能转向高频宽记忆体（HBM）与DDR5，台系厂商因主力产品仍为DDR4，法人预期将承接部分转移需求。事实上，三星减产DDR4早有预兆：2023年其华城园区DRAM产线已实施3-6个月减产，并将部分产能转至DDR5和LPDDR5。背后动因包含两方面：其一，高阶产品利润率显著高于DDR4；其二，陆厂持续扩产导致DDR4价格承压，8Gb颗粒大宗价从2024年1.9美元跌至2025年1月的1.75美元，连续五个月下滑。
美国前总统川普于4月9日启动对等关税机制，对中国台湾省出口至美国的记忆体模组与SSD课征32%关税。尽管裸晶与HBM不在课税范围，但终端模组需求恐受抑制。研究机构据此下修2025年全球记忆体位元需求年增率，从中立情境的12.8%调降至4.8%，熊市情境更探至3.5%。
尽管现货价格已逼近制造成本，但原厂通过10%-20%产能调节维持价格稳定。值得注意的是，陆厂正从低阶市场向高阶领域突破。长鑫存储不仅量产DDR5颗粒，更开发15nm制程技术；其在17-18nm工艺的DDR4/LPDDR4X产能已具备全球竞争力。这迫使传统巨头加速技术迭代，三星在1z制程中引入EUV技术，使DRAM裸晶尺寸缩小18%，生产效率提升15%。
美光、SK海力士与三星同步调整策略，2025年DDR4产能预计缩减20%-25%。尽管陆厂DDR4报价仅为韩厂一半，但其产能尚无法完全填补巨头退场后的缺口，业者预测2025年中低阶PC及消费电子可能面临DDR4短缺。台厂因此迎来机遇，部分客户基于供应链安全考量转向非陆系供应商。
短期来看，备货需求与供给收缩将支撑记忆体价格。但中长期市场仍面临三重变量：陆厂高阶制程突破速度、美国关税政策走向，以及原厂资本支出策。技术迭代与地缘博弈交织下，全球记忆体市场的竞合格局将持续重构。
