表1.4是成分分析法和分析装置一览表。不是专用装置的，列出基础装置名称。除了显示功能的概述外，还显示了人射到样品上的内容、要观察的内容以及样品输出的内容。

表1.4成分分析法和分析装置一览

以下按顺序进行说明。

在成分分析法中,最常用的是最初的EDX法（Energy DispersiveX-ray Spectroscopy：能量色散X射线光谱法），并结合SEM、TEM（Transmission ElectronMicroscope，透射电子显微镜）或STEM（ScanningTEM.扫描透射电子显微镜）法一并使用。通过使用能量色散X射线法光谱获得电子束射人时产生的特征x射线的光谱，并寻找元素固有的峰值，从而确定元素组成。

下面介绍的 EELS（Electron Energy Loss Spectroscopy：电子能量损失光谱学）是近年来投人使用的方法。通过将透射电子的能量损失作为光谱，不仅可以进行元素识别，还可以进行状态分析（例如.可以将 Si、SiN和 SiO 的差异作为 Si的光谱差异来进行识别）。

AES（Auger Electron Spectrometry：俄歇电子能谱）是一种由来已久的方法，根据照射电子束时产生的俄歇电子的光谱进行元素识别。因为俄歇电子露出样品外的区域很浅。所以可以进行极表面的分析。还可以利用Ar离子等在溅射的同时进行测量，开展深度分析。

SIMS（Secondary Ion Mass Spectroscopy：二次离子质谱分析法）也可以分析极表面。通过分析照射离子束时弹出的二次离子的光谱，可以识别元素和分子。在溅射的同时进行测量，开展深度分析。

下面介绍的3D-AP（Three Dimension Atom Probe.三维原子探针）是将样品加工成微小的针状（局部半径在100nm以下），在针尖上施加电场使原子离子化而蒸发（电场蒸发），并利用位置敏感型检测器进行检测，通过对检测到信号所需的时间进行测量，从而获得TOF（Time OFFlight）型质谱。用计算机处理后，三维显示元素分布。对于含有绝缘膜和半导体的样品，可以通过施加激光照射的触发来实现电场蒸发。

最后提到的显微FTIR（Fourier Transform Infrared Spectroscopy：傅里叶变换红外光谱法）是利用红外光在分子中被吸收进行测量，由于分辨率不高，所以用于封装部件的异物等分子识别。

每种方法的最高空间分辨能力显示在表1.4的最右侧列。不仅是观测条件，根据样品的种类和形态，结果也有所不同，仅供参考。

作者:上田修 山本秀和;机械工业出版社

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