之前,DUV光刻机的相关信息已被广泛披露,其迈向浸润式DUV的门槛已然触手可及。一旦我们成功跨越这道屏障,实现对浸润式DUV光刻机的技术突破,美国的控制力将大打折扣。毕竟,浸润式DUV光刻机的潜力不容小觑,它能够助力我们制造出最高达7nm,乃至5nm级别的芯片。届时,再对ASML的光刻机实施管制,无异于徒劳之举,只会让ASML的业绩蒙上一层阴影,显得黯淡无光。
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此外,随着各类新技术的雨后春笋般涌现,光刻机正面临着前所未有的挑战与机遇。佳能推出的NIL纳米压印技术,无需EUV光刻机,便能轻松驾驭5nm芯片的生产。还有电子束光刻技术、DSA自生长技术等,这些创新技术正处于突破的临界点,蓄势待发。一旦这些技术实现质的飞跃,EUV光刻机的地位或将受到严重冲击,人们将拥有更多元化的选择。难道美国能以一己之力,将这些新技术全部扼杀于摇篮之中吗?恐怕,这终究是不现实的。与此同时,新的封装技术、Chiplet小芯粒技术,以及光电芯片、碳基芯片等新兴领域的崛起,为芯片性能的提升开辟了全新的道路。这些技术让我们在不依赖先进光刻机的前提下,也能实现芯片性能的飞跃。因此,ASML的光刻机,正逐渐失去其作为美国控制全球芯片产业工具的威力。这无疑是我们,乃至全球所共同期盼的希望之光,因为我们都渴望半导体贸易的自由化,而非被美国所独揽与操控。