众所周知，芯片一直被视为科技领域皇冠上的明珠，越高端的芯片，制造工艺也就越复杂，然而随着以美国为首的西方国家保护主义思想日益加剧，我国在高端芯片设计和制造上遇到了前所未有的麻烦。

尤其是EUV高端光刻机获取受阻后，让我国芯片制造工艺止步于7nm以上，要想往下突破最多也只能达到5nm水平，但良率和产能均达不到理想范围，而现在市面上能够大规模量产的芯片制造工艺已经达到了3nm，甚至是2nm。

为了尽量缩小芯片性能差距，我国采取了多种突破方式:

一是光刻机技术继续向高端方向突破；

二是继续探索增强芯片性能的封装、架构技术；

三是继续探索新材料、新技术，力求实现换道超车。

而第三种方式，一旦成功将对我国芯片乃至全球芯片制造工艺产生积极影响。

比如用玻璃晶圆代替传统硅晶圆，就是我国科学家正在尝试的新赛道，并且已经有了重大突。

4月25日，​央视披露首次我国芯片团队研制的“玻璃晶圆”获得了重大突破，将有望成为我国芯片实现换道超车。

据了解，此次曝光的是我国芯片团队研制的第三代“玻璃穿孔技术”。

根据介绍得知，该技术团队首次突破可在指甲盖大小的玻璃晶圆上均匀打上100万个孔，从而串联成非常复杂的集成电路，（封装后即为各种功能的芯片）

小编在网上搜了一下，基本上没有相关技术的科普内容，只是搜到了玻璃金属穿孔技术，估计在技术上有些类似，也属于一种先进的封装技术。

这里最大的不同就是玻璃晶圆，随着玻璃晶圆的不同特性，加上更密的打孔技术，从而实现与高制程硅芯片一样甚至性能更优的新型芯片。通俗的讲就是特殊的芯片基材+先进的串联封装技术=先进的芯片。

据了解，这类芯片除了不依赖先进的光刻机外，性能表现也更优，并且制造成本也要比传统硅芯片低50%。

电子科技大学张继华教授称，这是一门新集成技术，如果我们能够抓住这一点，将有望成为我国芯片实现换道超车的新机遇。

其实在我们的认知中，玻璃与传统硅材料，虽然元素上有些关联，但两者确实有很多不同之处，所以这个“玻璃”，我们不能简单的把它看成常规玻璃。

比如制造的微机电元件（MEMS）、CMOS、CCD传感器、微波电路、物联网阵列以及各类光学、激光器件用到的晶圆也叫玻璃晶圆，但是这种晶圆往往是特定芯片材料，所以新闻中的玻璃晶圆肯定也会有所不同。

总而言之，既然是突破，肯定就不能以一般常识去理解，希望这一技术能够成为我国芯片领域新赛道，让换道超车成为现实！