在近日举行的国际内存大会（IMW 2024）上，三星电子公布了其关于3D DRAM开发的雄心勃勃计划，并明确表示将在2030年前实现这一技术的商业化。三星电子副社长李时宇在会上详细介绍了4F Square VCT DRAM及3D DRAM的研发进展，显示出三星在紧凑型高密度内存领域的领先地位。

李时宇在演讲中提到，超大规模人工智能和按需人工智能的工业发展对内存处理能力提出了更高的需求，而传统DRAM的微处理技术已接近极限。为此，三星致力于开发4F Square VCT DRAM，这是一种基于垂直通道晶体管（VCT）技术的紧凑型DRAM设计。4F Square VCT DRAM通过垂直堆叠技术，将DRAM单元尺寸比现有的6F Square DRAM减少约30%，在提高能效的同时大幅降低了单元面积。

然而，实现这一技术并非易事。李时宇指出，4F Square VCT DRAM的开发需要极高的制造精度和更优质的生产材料，还需要解决新材料的应用问题，如氧化通道材料和铁电体的研发。三星计划在2025年内部发布4F Square工艺，并逐步推进3D DRAM的研发。

3D DRAM被认为是下一代DRAM技术发展的关键，将通过垂直堆叠实现更高的内存容量和更高的效率。尽管业界在这一方向上已经努力了十多年，但3D DRAM的商业化进程仍面临诸多技术挑战。与NAND闪存不同，DRAM是一种易失性存储器，需要在通电状态下才能保存数据，这使得在堆叠层上传递电力和数据变得更加复杂。

三星的3D DRAM计划将借鉴其在3D NAND领域的成功经验。2013年，三星首次推出3D NAND（V-NAND），并在短短几年内实现了从理论到实践的飞跃。今年，三星准备推出290层的3D NAND产品，远超最初的128层堆叠理论上限。这一成就为3D DRAM的开发提供了宝贵的经验和技术支持。

尽管东京电子预测VCT DRAM的商用化要到2027年才能实现，但三星内部对3D DRAM的商业化充满信心，预计在2030年之前推出市场。李时宇表示，三星将继续投入资源和技术力量，推动3D DRAM的研发，以应对未来内存市场的需求和挑战。

三星的这一计划不仅展示了其在内存技术上的创新能力，也反映了公司在全球内存市场中的战略布局。随着3D DRAM技术的逐步成熟，三星有望在未来的内存市场中占据更为重要的地位。

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