MOSFET – 是金属氧化物半导体场效应晶体管的首字母缩写词，MOSFET 技术在数字和功率应用领域很普及，相比于上节介绍的三极管具有两个主要优势。

1） MOSFET 晶体管更加容易驱动，因为其控制电极与导电器件隔离，属于电压控制器件，所以不需要连续的导通电流。 一旦 MOSFET 晶体管开通， 它的驱动电流几乎为零。

2）MOSFET导通电阻小，三极管导通电阻大，所以MOSFET更适合在在大功率电路中使用；

MOS管基本原理：

本期只介绍使用最多的增强型MOS管的内容。对于MOS管的结构和物理参数，比如什么耗尽层、衬底、自由电荷，空穴位移等不做介绍。

下面针对MOS管在电路中是长什么样的，MOS管是怎么用的提出以下几个问题：

1、 MOS管的三个级如何判定？

G极比较容易，就是端口1，那么哪个是漏级D，哪个是源极S呢？

不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是源级S。当然，另外一边单独引出的就是漏级D；

2、 如何区分是N沟道还是P沟道？

这更简单，当箭头指向内部的就是N沟道，“内”的拼音是（Nei)，当然指向外部的就是P沟道了。

3、 寄生二极管的方向如何判定？

寄生二极管的判断方法是：N沟道是由S极指向D极，P沟道是由D极指向S极。但这个方法不好记忆，如何更简便的记忆呢？有，当然有。

不论N沟道还是P沟道MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的：要么都由S指向D，要么都由D指向S。有了这个方法妈妈再也不用担心我画错二极管方向了。

MOS管的作用

在板级电路设计中，MOS管最常用的作用有两个。

1、开关作用

当在Vgs为高电平时，NMOS导通，负载通电，当Vgs为低电平时，NMOS关断，负载断电。

再来看一个PMOS管负责电源开关的例子，当Ctrl为低电平时，PMOS管导通，后继+3.3V_OUT输出3.3V，Ctrl为高电平时，PMOS管截止，+3.3V_OUT输出0V。

通过上面的例子可以看出MOS管应该如何接吗？如何确定哪个极接输入，哪个极接输出吗？

用NMOS管时，漏极D接输入，源极S接输出。

用PMOS管时，源极S接输入，漏极D接输出。

小结：关键是看寄生二极管的方向。寄生二极管的方向与MOS管导通时的电流方向相反，也就是寄生二极管的方向是阻碍信号输入的方向。

这也很好理解，如果寄生二极管的方向与信号方向一致，那MOS管怎么控制信号呢，信号不就通过寄生二极管直接流过去了吗？

另外值得一提的就是上图电源的导通，其实也可以用NMOS来实现，只不过Ctrl信号一定要比Vout高，如果导通电压Vth=1.5V，那么要用NMOS来实现的电源的通断，Ctrl信号需要为3.3V+1.5V=4.8V以上才行，不然NMOS一旦导通，Vgs的电压就会被拉到Vth以下，这样NMOS管刚打开就立即关断了，这也是在BUCK电路中NMOS管为啥要加自举电容的原因。

总结：不论N沟道还是P沟道MOS管， G极电压都是与S极做比较。

N沟道： VG>VS时导通。 （简单认为）VG=VS时截止。

P沟道： VG<V S时导通。 （简单认为）VG=VS时截止。

但VG比VS大（或小）多少伏时MOS管才会饱和导通呢？

这要看具体的MOS管，不同MOS管需要的压差不同。