推挽软开关逆变器的实现，利用变压器的次级漏感作为谐振电感，具有减少器件、减少逆变器体积的优点，但也具有漏感存在一致性问题
在使用到电容的电路中，常会提到超前与滞后的概念，超前与滞后的参考基准是什么呢？首先，从电容的电流与电压关系，我们可以看出
这就是一个基本共射放大电路，如何对其分析呢？假设图中所有的量都是已知的，并且已知Ubeq（集电结开启电压），rbb
150V Gen.3 SGT MOSFET系列产品采用全新屏蔽栅沟槽技术，特征导通电阻Rsp（导通电阻Ron*芯片面积A
连续模式，输出二极管电流曲线如下图：假定电流的方向如下图所示：那么输出电容的电流为：输出电容的电流曲线如下图：图中阴影面
推挽MOS管的开关频率设置为27.624kHz，LC谐振频率为29.058kHz，使得推挽MOS管工作于零电压开关、零电
连续模式，电源输入电流,电感电流, 输入电容电流曲线如下图：输入电容电流：图中三角形面积，就是电容的充放电电量，电路达到
如下图所示，PN结终于呈现出让我们期望已久的单向导通（开关）特性。当年谁也没有想到，简单的0/1开关，最终会创造出怎样一
使用三极管的普遍场景是在已知电平值情况下，那么在只知道输入GPIO的高低却不知道具体的电平值时，如何将未知转换为已知呢？
输出电感的设计主要就是确定电感量，电感饱和电流和电感有效电流，饱和电流评估的是电感是否保持电感特性，饱和时，电感感量会急
新洁能650V Gen.7系列IGBT产品，基于微沟槽场截止技术，可大幅提高器件的元胞结构密度。采用载流子存储设计、多梯
1、工作原理1.1、工作波形1.2、模态分析1.2.1、模态1 ：T0-T1在T0-T1工作区间之前，M1、M2的Vds
二.跨模块ESD设计现阶段芯片的集成程度越来越高，同一个芯片内可能集成数字电路，模拟电路，射频电路模块。不同模块的Pow
随着对模拟IC集成度需求的日益提升，高低压混合，数-模-射频混合等芯片也越来越多。而此类芯片的ESD设计难度也随之提升。
功率电感器/变压器的应用功率电感器（变压器）主要应用于开关电源设计。开关电源中对于电感器/变压器比较关注的参数简要介绍，
Boost 拓扑电路如下图所示，根据电感电流是否连续，分为CCM, BCM, DCM 三种工作模式，以下分别绘制了三种模
在集成电路问世之前，放大电路都是由晶体管、二极管、电阻、电容等分立元件组成，称为晶体管放大电路，但是复杂的计算限制了这类
引言：根据通电时的上升时间，负载的输出大电容会引起较大的涌入电流，这些电流仅受布线和互连中存在的寄生电阻和电感的限制。在
叠层片式电感器的应用叠层片式电感器的选择，须兼顾较小的电感量波动和较高的品质因数Q。中低频片式电感器采用铁氧体材料制作（
峰值检测电路是一种电子电路，用于检测并保持输入信号的最大值或最小值。它是一种多功能电路，在电子、通信和信号处理等各个领域
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