在美国的威逼下，asml宣布进一步限制对我国duv光刻机零部件出口，然而asml才刚宣布接受美国的建议，我们的国产光刻机突然官宣了，西方媒体争相报道，其中美媒还酸溜溜的说这款DUV光刻机是asml十年前的水平。根据公布的数据，这台国产duv的套刻≤8纳米，不过大家不要误认为可以生产出8nm工艺的芯片，还得根据波长进行判断，波长193nm，能生产最先进的工艺芯片水平是28nm，虽然和当前主流手机芯片工艺有巨大差距，但意义重大，之前国产光刻机还停留在90nm，如今做到了28nm，是巨大的进步，28nm突破了，14nm也就不远了。

实际上，无论是台积电英特尔还是asml，都会通过多重曝光技术生产出先进芯片，一旦我国突破14nm光刻机，在多重曝光技术下，肯定能生产出7nm芯片。另外有一点非常重要，除了智能手机和部分高端电脑芯片和ai芯片外，各行各业都在使用28nm以下芯片，还没有达到普遍使用7nm芯片的情况。

最后想说的是国产光刻机的突破，又再次打脸那些说我国一己之力造不出来的人的脸。对于西方媒体的评价我们早都习惯了，我们没有的时候，他们说造不出来，我们有的时候，他们一边说落后，一边低价出售同类型设备，说明西方国家开始慌了。