国产光刻机套刻8nm，最高只能生产28nm芯片。

最近这台国产光刻机受到很大关注，连西方媒体都争相报道，不过还是有很多人对这台光刻机有一定误解，认为套刻≤8nm就能生产8nm芯片，其实这种理解是错误的，套刻精度不是指能制造该精度的芯片，而是指每一层光刻层之间的精度，主要还是要看光源波长，该光刻机光源波长193nm，属于第四代ArF光刻机，理论上最高只能生产28nm芯片。那么华为麒麟9000s和麒麟9010是怎么回事？

日本半导体机构已经拆解这两款芯片，得出的结论是7nm工艺，芯片面积接近苹果和高通的5nm芯片，采用asml出售给中芯国际DUV光刻机进行多重曝光后造出来的，这就是为什么mate60系列和pura70系列出来后，美国要求asml进一步限制duv光刻机部分材料出口，甚至还想让荷兰直接断供duv，由于这个做法不现实，最近西方媒体还爆料老美要求asml停止售后。不过我感觉老美还是迟了一步，当mate60系列出来后，已经意味着美国的封锁失败了，虽然这台国产光刻机最高生产28nm，但我认为两年后突破7nm也是稳当的事情，大家说是吗。