2nm也要搬走!美国豪掷839亿强行掏空台积电,背后的目的是什么?

科技电力不缺一 2024-05-31 03:20:13

在数字时代的洪流中,每一次技术的飞跃都在重塑我们的世界。近日,一项颠覆性的技术成果,2nm光刻机正式出炉,它的问世不仅标志着芯片制造进入了一个全新的纪元,更在技术封锁与自主创新的博弈中,为华为等科技企业提供了新的发展思路。

台积电,如期量产

围绕着台积电的2nm,最近有很多传言。

但据台媒工商时报报道,台积电工艺开发副总经理张晓刚在5月23日的论坛上表示,“2纳米工艺开发进展顺利”,“按计划2025年左右可实现量产”,以此驳斥了“台积电因技术问题将2纳米工艺全面量产推迟至2026年”的猜测。

台积电在官方网站中介绍2nm的时候说到,随着不断突破先进逻辑技术的扩展界限,台积电已经远远超越了 FinFET,实现了 2 纳米节点的商业化,这是以纳米片晶体管为特色的一流逻辑技术。台积电业界领先的 N2 技术具有出色的低 Vdd 性能,非常适合移动和可穿戴应用。此外,N2 的超薄堆叠纳米片为 HPC 带来了全新级别的节能计算。还将添加背面电源轨以进一步提高性能。

台积电认为,对于希望利用纳米片技术无与伦比的优势来释放前所未有的创新能力的客户来说,台积电 N2 技术是一个战略选择。

在四月份的北美峰会上,台积电也披露了2nm的更详细的计划。

按照台积电当时所说,公司有望在 2025 年下半年开始在其第一代 GAAFET N2 节点上批量生产芯片,而 N2P 将在 2026 年底接替 N2——尽管没有之前宣布的背面供电功能。同时,整个 N2 系列将增加台积电的全新 NanoFlex 功能,该功能允许芯片设计人员混合和匹配来自不同库的单元,以优化性能、功率和面积 (PPA)。

相关报道表示,在本次峰会上,台积电的一项重要公告是台积电的 NanoFlex 技术,该技术将成为该公司完整的 N2 系列生产节点(2 纳米级、N2、N2P、N2X)的一部分。NanoFlex 将使芯片设计人员能够在同一块设计中混合和匹配来自不同库(高性能、低功耗、面积高效)的单元,从而使设计人员能够微调其芯片设计以提高性能或降低功耗。

为什么美国豪掷近千亿强行掏空台积电

首先,台积电是世界上最大的芯片制造商,市场占有率高达60%左右,高端芯片制造占比更是高达90%,而这些年美泛化国家安全,逆全球化而行,对中国乃是全球供应链不信任。从手机、电信设备的研发和生产,到新能源电池等,美方大搞脱钩锻炼,推动“美国制造”,在利益全球化和供应链的绝对可控方面选择了后者。

其次,为了本土经济稳定、推动经济持续增长,特朗普时期美国就开始主张“制造业回流”,如今又延伸到了芯片产业。据悉,如果台积电三座晶圆厂落地美国,将是美国史上最大外商直接投资,预计会创造6000多个制造岗位和2万个建筑工作机会,还可吸引更多的投资和技术人才,推动技术创新和产业升级,从而提高美技术在行业内的竞争力。

另外,人工智能相关需求大幅增长,行业对高性能、低功耗的AI芯片需求日益旺盛,英伟达作为全球知名的GPU和AI芯片制造商,其在AI芯片领域的地位不可忽视,美国需要台积电赴美建厂来满足美国在AI芯片领域形成寡头局势,在手机、PC芯片之后再度独霸全世界。

更重要的是,两岸统一是必然,美国掏空台积电,重要目的之一是留给大陆一个“空壳”,通过迁走或变相废掉台积电,从而为赢得与我方的战略竞争创造条件。

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