台积电美国亚利桑那州厂传出有不错进展，试产良率已达与台湾的南科厂相当水准。台积电表示，项目照计划进行，并且进展良好。
彭博（Bloomberg）引述消息人士报道，台积电亚利桑那州第一座芯片厂4月开始采用4纳米制程进行工程芯片生产，良率已与南科厂相当，有望实现其目标。台积电对此表示，项目照计划进行，并且进展良好。
台积电计划在亚利桑那州设立3座芯片厂，每一座芯片厂的洁净室面积都是业界一般逻辑芯片厂的2倍大。第1座芯片厂预计在2025年上半年开始量产。
台积电亚利桑那州第2座芯片厂将采用2纳米制程技术，支持强劲的AI相关需求，预计2028年开始生产。第3座芯片厂将采用2纳米或更先进的制程技术。
台积电指出，一旦芯片厂开始量产，将能够在亚利桑那州的每一座芯片厂提供与台湾芯片厂相同水准的制造品质和可靠度。
（首图来源：TSMC）
