美国政府近日揭晓了首批三家科研单位将获得来自《芯片法案》项下的3亿美元资金支持，这一举措标志着法案资助计划的正式启动。该法案旨在通过资金注入，不仅强化半导体制造业的根基，更着眼于构建更为强大的研发体系，以重塑美国在半导体领域的全球领导地位。
商务部部长吉娜·雷蒙多（Gina Raimondo）强调，要恢复并巩固美国在半导体产业的领先地位，单一依赖生产能力的提升是远远不够的，必须同步加强研发环境的构建与优化。她指出，即将实施的《芯片法案》中的研发资助正是这一战略愿景的关键一环。
此次公布的首批研发设施资助计划，预计总额可达3亿美元，作为高达110亿美元研发预算的先期投入。这些资金将精准投放至三个核心研发中心：国家科学技术中心（NSTC）的原型设计与国家先进封装制造计划（NAPMP）的先进封装试验平台、NSTC的行政与设计中心，以及专注于极紫外（EUV）技术的NSTC中心。
具体而言，NSTC的原型设计与NAPMP的先进封装试验平台将联手打造一个集尖端制造与封装技术于一体的创新高地，为科研人员提供开展300mm晶圆研究、原型设计及封装试验的先进平台。这种资源的高效整合，不仅加速了新技术的孵化进程，更为美国半导体生态体系在协同推进半导体及先进封装领域的研究合作上赋予了前所未有的价值。
此外，NSTC的其他两个中心也将各司其职，分别聚焦于行政与设计管理的高效运作，以及极紫外（EUV）这一前沿技术的深入探索，共同为美国半导体产业的全面升级与转型贡献力量。这一系列举措无疑为美国在全球半导体科技竞赛中抢占先机奠定了坚实的基础。
