华汽睿达（北京）技术培训中心将举办“功率半导体器件性能开发专题班”，有关事项通知如下：

（1）功率IGBT器件的结构介绍

（2）功率IGBT器件的工作原理

--物理效应、I/U特性等

（3）功率IGBT器件的特性分析

--静态特性、阻断特性、动态特性等

（4）功率器件的封装

--引线技术、贴装技术等

（5）相关衍生器件

案例分析1：某款IGBT器件Datasheet参数分析

案例分析2：HPD封装IGBT的生产工序

案例分析3：塑封半桥IGBT的生产工序

（1）功率IGBT的器件测试

（2）功率IGBT的应用测试

（3）功率IGBT的可靠性及可靠性试验

--典型环境试验，其他环境试验等

（4）功率器件的失效分析

（5）IGBT的选型

案例分析1：IGBT器件双脉冲测试

案例分析2：IGBT器件可靠性分析

案例分析3：IGBT器件耐压损坏分析

（1）SiC器件发展

（2）SiC MOSFET的特性及参数

（3）SiC器件的驱动电路设计

（4）SiC器件短路特性与保护

（5）SiC器件的制约性及关键问题

案例分析1：某SiC MOSFET Datasheet参数分析

案例分析2：SiC MOSFET驱动电路分析

案例分析3：SiC MOSFET短路测试

（1）功率器件的散热技术

--散热相关概念，散热需求，散热技术等

（2）功率器件的热阻及热模型

（3）功率器件的损耗计算

（4）功率器件的结温估算

案例分析1：功率器件热仿真

案例分析2：IGBT器件的损耗与结温估算

（1）GaN器件

（2）Si IGBT/SiC MOSFET混联技术

本次培训采用双方互动研讨及案例教学的方式，邀请到长期从事功率半导体器件开发的专家，通过对大量的具体案例和对标信息的演示，并结合多年工程实践的经验和心得，向大家呈上一场专业盛宴。相信通过两天的学习与交流，汽车主机厂、供应商相关工程师以及高校相关科研工作者可以在本次培训研讨中获取更多的知识、经验和启发。

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