近日，Micro LED领域又传来三则动态，涉及包括泉州三安、迈为股份、诺视科技、晶能光电等企业，主要进度涵盖交货、技术突破、项目立项等。详情如下：
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▋迈为股份：核心产品巨量转移装备（LMT）成功交付头部企业
自8月宣布交付后，迈为股份10月14日在其官微再披露，其核心产品巨量转移装备（LMT）成功交付家电及显示领域头部企业，将助力该客户拓展Micro LED技术布局，推进其消费电子、车载显示等相关微型屏的制造，为终端产品向高端化与智能化发展赋能。
在新型显示领域，迈为股份不仅突破了Micro LED 关键装备技术，成功实现激光剥离、激光巨转、激光键合核心制程设备的国产化，还研制了包括激光去晶、单点键合、基板清洗等多款配套设备，为客户提供完整解决方案。同时，公司进一步攻关了Micro LED晶圆键合核心工艺，面向Die to Die和 Wafer to Wafer两种键合方式，为客户提供键合工艺解决方案，以满足客户不同需求。
▋诺视科技、晶能光电携手湖南大学研发IC 级 GaN 基 Micro LED 晶圆制造技术
据中国光学、Light:Science & Applications等10 月 9 日的消息，湖南大学的潘安练教授与李东教授团队联合诺视科技、晶能光电等合作方，成功研发出 IC 级 GaN 基 Micro LED 晶圆制造技术，该技术涵盖大尺寸高质量硅基 Micro LED 外延片制备工艺、非对准键合集成技术以及原子级侧壁钝化技术，在硅衬底 GaN 外延片上达成了目前已公开报道中亮度最高的绿光 Micro LED 微显模组。
相关研究结果以“Ultra-highbrightness Micro-LEDs with wafer-scale uniform GaN-on-siliconepilayers”为题在Light:Science & Applications上发表。
在图 1a 中，呈现了 4 英寸硅衬底 GaN 基 Micro - LED 外延片的真实照片以及结构示意。研究团队钻研出一种 “Ga 原子表面活性剂辅助生长” 的方式，于 1100℃的中等温度环境下培育出高质量的 AlN 缓冲层，并且成功制得了低位错密度（约 5.25×10⁸cm⁻²）、低翘曲（16.7μm）以及拥有出色波长均匀性（标准差为 0.939nm）的绿光 Micro - LED 外延结构（如图 1b - 1d 所示）。目前，此项技术已经顺利扩展应用到了 6、8 以及 12 英寸的硅衬底 GaN 晶圆上。
图1：（a）4英寸外延片实物图及外延结构示意图；（b）GaN（002）/（102）双晶的HRXRD摇摆曲线；（c）和（d）分别为外延片翘曲度和光致发光主波长mapping图
依托高质量的硅衬底 GaN 基绿光外延材料，研究团队成功研发出一种针对 Micro-LED 侧壁的湿法修复与粗化技术。他们借助碱性溶液对 GaN 材料极性面和非极性面腐蚀速率各向异性这一特性，顺利清除了 Micro-LED 侧壁的刻蚀损伤，同时通过结合原子级侧壁钝化，极大程度地降低了侧壁非辐射复合速率。这项技术还达成了出光面深亚微米级别的粗化，有效地增强了 Micro-LED 的光提取效率。从图 2 中可以看出，相关结果清晰地表明湿法修复和粗化技术使 Micro-LED 的亮度得到了大幅度的提高。像素大小为 5μm 的 Micro-LED 微显示阵列其最高发光亮度能够达到 1000 万尼特。
图2：（a）侧壁钝化处理后的发光像素SEM图；（b）Micro-LED器件亮度曲线图；（c）晶圆级光刻像素后的实物图（上），Micro-LED显示屏点亮照片（下），插图为30×30发光像素矩阵
研究团队进一步开发了垂直非对准键合集成技术，成功构建了与硅基CMOS紧密集成的可独立寻址的Micro-LED显示芯片，0.39英寸显示屏具有优异的亮度均匀性，标准差仅为720Cd/m2(2.2%),像素密度高达3400PPI，实现了图片和视频的高清显示。
图3：（a）Micro-LED与CMOS驱动集成示意图；（b）芯片像素单元FIB测试剖面图；（c）0.39英寸显示屏亮度均匀性mapping图；（d）湖南大学logo照片高清显示效果图。
该研究工作基于高质量的硅衬底GaN基Micro-LED外延材料，开发了包括湿法处理技术、原子级钝化技术和垂直非对准键合技术的IC级Micro-LED晶圆制程，成功制备出超高亮度的Micro-LED微显矩阵和与硅基CMOS集成的Micro-LED微显示屏，为高亮度GaN基Micro-LED微显示的规模化制造和应用提供了重要支撑。
▋Micro LED重大专项立项，合作单位为泉州三安
近日，泉州市公布2024年市级“揭榜挂帅”科技重大专项立项结果的通知。“Micro LED显示模组关键技术及产业化研究”项目承担单位为泉州师范学院光电工程系，合作单位为泉州三安半导体科技有限公司。
此次榜单研发投入预测达7380万元，以市场为导向，以需求为牵引，建立健全“企业出题、能者答题”的科研项目立项和实施方式。
其中，“Micro LED显示模组关键技术及产业化研究”的技术攻关的方向如下：
（1）采用微结构光学设计的薄膜层方案，针对特定的Micro LED阵列排布对薄膜微结构进行光学设计，获得亮度均匀性的同时提高模组的透过率。
（2）根据Micro LED显示产品的设计要求，开发微结构光学功能薄膜模具的加工与测试技术。
（3）开展Micro LED显示模组的封装与测试技术研究，通过模组端光度性能测试，提出微结构功能薄膜的优化方案。
除了本次项目外，在9月，三安光电与TCL华星合资企业芯颖显示，其中试验证线已基本搭建完成，并表示计划今年底开始中试生产，有望在未来2年扩产实现量产。
值得一提的是，《2024薄膜Micro LED产业调研白皮书》正式发布，关于Micro LED更详细的市场规模分析，以及产业发展与趋势、关键技术、技术路线、关键应用品牌进度等分析，欢迎扫码订阅。
