随着以英特尔、台积电为首的半导体巨头纷纷引进ASML的高数值孔径EUV（高数值孔径极紫外）设备，加速推进先进节点的研发，据报道，目前这个精英集团又增加了两位新成员：三星和SK海力士。

据韩媒Sedaily和ZDNet报道，三星电子半导体部门预计将于 2024 年底引进 High-NA EUV 设备。SK 海力士的 High-NA 设备预计将于 2026 年推出，用于先进 DRAM 的量产。

三星将于年底推出首款High-NA EUV机器，计划于 2027 年实现全面商业化

业内消息人士称，三星预计将在今年年底至明年第一季度开始引进其首台 High-NA EUV 设备 ASML 的 EXE:5000。值得注意的是，该报道称，三星首台 High-NA EUV 设备很可能用于代工业务。

在代工业务不断推进的半导体巨头中，英特尔是第一个向 ASML 订购新型High-NA EUV 机器的公司。据称，英特尔今年 5 月已从 ASML 获得了首批新型High-NA EUV光刻设备，据称该公司将在其 18A (1.8nm) 和 14A (1.4nm) 节点上使用该设备。

另一方面，台积电更担心新机器的价格昂贵，因为每台机器的价格可能高达 3.5 亿欧元（约合 3.8 亿美元） 。不过，该报道援引 ASML 发言人的话证实，这家荷兰芯片设备巨头将在今年年底前向台积电交付High-NA EUV设备。

如今，三星紧随晶圆代工领域的两大竞争对手，最快将于年底推出High-NA EUV设备，旨在提升其在先进节点的竞争优势。

报道称，由于安装过程相当耗时，三星的目标是到 2027 年实现 High-NA 的全面商业化，并努力构建相关生态系统。

三星正在与电子设计自动化（EDA）公司合作设计新型光罩，包括用于High-NA EUV的弯曲（曲线）电路，以提高晶圆上印刷电路的清晰度。此次合作包括半导体 EDA 工具全球领导者 Synopsys 等公司。

SK 海力士的High-NA EUV将应用于 0a DRAM 生产

据 Sedaily 报道，目前 ASML 已生产了 8 台 EXE:5000 High-NA EUV 设备，其中英特尔占据了最大份额，已获得多台设备，三星据称是 ASML 首批设备订单的最后一家客户。

另一方面，据 ZDNet 报道，三星在内存领域的主要竞争对手 SK 海力士将于 2026 年引进 ASML 的下一代High-NA EUV机器 EXE:5200。

这家 HBM 巨头一直在扩大公司内部致力于High-NA EUV开发的人员。

报道称，虽然尚未透露具体计划，例如将安装该设备的晶圆厂、额外投资的方向，但预计该技术可尽快应用于 0a（个位数纳米）DRAM 的量产。

不仅仅是EUV

三星电子在高速互联技术Compute Express Link（CXL）存储方面处于领先地位。它计划在2024年下半年开始出货，此后市场将腾飞。

CXL是高速计算的开放标准。三星存储部门执行董事Choi Jang-seok在7月解释说：“这有点像把宽阔的道路粘在一起，让大量数据来回传输。”

CXL模块由堆叠DRAM制成，DRAM是一种广泛使用的用于临时存储数据的内存芯片。通过连接多个半导体设备（例如图形处理单元（GPU）和中央处理单元（CPU）），与不使用CXL时相比，每台服务器的存储容量可以增加至10倍。

生成式AI需要大量的训练数据，一般来说，它在回答用户问题时消耗的电量是谷歌搜索的10倍。

科技公司正在构建大型数据服务器，为数据量的增加做准备。“整合CXL可以帮助我们在不扩展物理服务器的情况下发展服务器。”Choi Jang-seok说。

三星是2021年首批开发CXL模块的公司之一。今年6月，随着实际应用研究进入最后阶段，三星宣布已建立由美国主要软件公司Red Hat认证的CXL基础设施。

在将新半导体推向市场时，建立研发合作生态系统是关键。

三星是2019年成立的行业组织CXL联盟董事会中15家全球主要公司中唯一的存储制造商。该组织对该技术的规格以及用户的需求有着深入的了解，这让三星比其他芯片制造商竞争对手更具优势。

Choi Jang-seok预计CXL市场将在2027年和2028年腾飞。研究公司Yole Group认为，全球CXL市场规模将从2023年的1400万美元膨胀至2028年的160亿美元。目前正在努力降低制造成本并建立大规模生产，为商业使用做准备。

一家存储制造商的开发人员将CXL视为继高带宽存储器（HBM）技术之后的“下一个竞争战场”。HBM（与CXL一样，涉及堆叠DRAM）被认为对于驱动生成式AI至关重要，并且芯片供应紧张。

SK海力士和美光科技都在致力于CXL的开发。CXL和HBM扮演着不同但互补的角色，带来了潜在的商机。