近日，全球最大8英寸碳化硅（SiC）晶圆厂启动。功率半导体大厂英飞凌8月8日宣布，在马来西亚投资20亿欧元的新工厂一期项目正式启动运营，将重点生产碳化硅功率半导体，并涵盖氮化镓外延的生产。
碳化硅全产业链提速作为第三代半导体材料，碳化硅相较于硅材料，具有大禁带宽度、高击穿电场、高饱和电子漂移速度、高热导率、高抗辐射等特点，适合制造高温、高压、高频、大功率的器件。
当前从光伏到新能源汽车，碳化硅下游市场需求旺盛，特别是随着电动汽车和新能源需求的持续增长，对SiC材料的需求呈现出井喷式增长的态势。国产碳化硅正在从产业化向商业化加速迈进。
从产业链来看，SiC产业链条较长，涉及衬底、外延、器件设计、器件制造和封测等一系列环节，各个环节的专业性要求较强，同时对技术和资本投入的要求也很高。
其中，碳化硅衬底和外延片的价值量占比超过一半，衬底成本最大，占比达47%；其次是外延成本占比为23%，成为决定碳化硅器件品质的关键。
SiC竞争，陷入白热化英飞凌的马来西亚工厂正式投产，有望助力公司达成其雄心勃勃的目标：在2030年前占据全球碳化硅市场30%的份额。
据最新报道，英飞凌居林工厂的第三厂区正在扩建中，已经获得了价值50亿欧元的设计订单，并且收到了10亿欧元的客户预付款。这表明英飞凌在碳化硅和氮化镓技术领域正不断巩固其领先地位。
同时，行业内其他竞争者也在积极采取措施扩大生产能力和加强供应链合作。例如，Wolfspeed的Building 10 Materials工厂已经达到了8英寸晶圆的生产目标，预计到2024年底，其莫霍克谷SiC晶圆厂的开工利用率将提升至25%。
国内外企业均在积极布局碳化硅市场，不仅国际巨头在积极扩展，国内企业也在努力提升产能和产品价值，以国产替代来争夺市场份额。
国产厂商如何破局事实上，目前国产碳化硅上车的占比非常低，也就百分之几，还往往是作为“备胎”。现在国际大厂的产能上来了，不缺芯了，国产碳化硅器件的命运可想而知。
这反映了当前碳化硅在电动汽车应用中存在一些关键问题。对于碳化硅器件厂商来说，单纯追求价格竞争而忽视产品质量和可靠性的确是一个危险的趋势。卷价格的最终结果是一损俱损，尤其是在涉及人命安全的应用场景中，任何一丝的质量问题都可能导致严重的后果。
作为国内碳化硅器件厂商，真正应该卷的是上车应用。要卷就要卷产品质量，卷长期可靠性。首先从上车验证做起，踏踏实实搞几年，积累足够的应用数据，为用户使用做好铺垫，让用户心里有底。
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