在半导体行业的棋盘上，一颗名为“光刻机”的棋子正引发了一场跨越太平洋的智谋较量。想象一下，如果你是那枚棋子，被两股势力紧紧盯住，一边是全球科技的领头羊——美国，另一边则是充满潜力与活力的新兴市场——中国。你的每一步，都可能改变整个棋局的走向。今天，我们就来聊一聊ASML，这个全球光刻机领域的绝对霸主，如何在夹缝中走出了一步“反卡脖子”的险棋。

随着决定超精细半导体工艺竞争力的极紫外（EUV）光刻设备重要性日益提升，三星电子、台积电和英特尔三大代工厂对下一代设备的争夺也愈加激烈。

此前一直犹豫是否采用下一代EUV设备的台积电CEO，放弃了内部重大活动，飞赴荷兰与ASML洽谈设备，此举标志着2纳米以下超精细工艺的竞争拉开序幕。

据业界消息及外媒5月26日报道，台积电CEO魏哲家缺席5月23日在台湾台北举行的“台积电技术研讨会2024”，而是前往荷兰埃因霍温的ASML总部和德国迪琴根的工业激光专业公司通快(TRUMPF)。

台湾当地媒体及业界人士分析称，“看来台积电管理层为了巩固全球半导体霸主地位，决定性地访问阿斯麦”，“随着光刻设备在7纳米以下超精细工艺中的重要性日益提升，台积电似乎也加入了竞争”。据悉，台积电正考虑在2026年下半年量产的1.6纳米产品A16之后的工艺中引入High NA EUV设备，在此之前则使用现有的Low NA EUV设备。

去年，英特尔成为业内首家从 ASML 获得高 NA EUV 设备的公司，此后争夺 ASML 的竞争愈演愈烈。业界预计英特尔将在其 14A（1.4 纳米）半导体工艺中充分利用高 NA EUV。

三星电子也积极行动。上个月 5 月 26 日，三星电子董事长李在镕在德国上科亨的蔡司总部会见了 ASML 首席执行官 Fuke 和 ASML 的重要合作伙伴卡尔蔡司首席执行官 Karl Lamprecht，以加强“三方半导体联盟”。由于 EUV 不仅出现在 2 纳米代工工艺中，而且也出现在最新的先进内存 (DRAM) 工艺中，三星电子也押注于引入High NA EUV。

EUV光刻机，特别是最新设备的客户是台积电、三星、英特尔、SK海力士和美光，目前来看，前三家对于ASML产能的争夺愈演愈烈。

台积电公布其资本支出高达400亿到440亿美元，且首度揭露用于2nm先进制程投资，这也意味台积电在2nm有重大突破，并下单采购高NA的EUV，以投入2nm研发及试产。台积电供应链透露，台积电内部规划2nm试产部队将于今年第四季度正式成军。

据悉，台积电已经获得了目前市场上供应的EUV设备的一半。台积电拥有约50台EUV设备。鉴于EUV设备的独家供应体系，快速确保设备安全将成为三星和SK海力士等半导体制造商面临的挑战。

有消息显示，三星也在紧急抢购一台高NA EUV，并要ASML直接拉到三星工厂内进行测试，创下ASML直接出货到客户厂内再测试的首例，可见台积电与三星在先进制程竞赛的激烈程度。

三星表示，该公司将于2022上半年推出3nm制程，三星电子副会长李在镕假释出狱后，立即宣布未来3年投入240兆韩元(约2050亿美元) ，巩固该公司在后疫情时代科技产业的优势地位，称该公司下一代制程节点3nm制程采用GAA（Gate-All-Around）技术不会输给竞争对手台积电。

三星强调，与5nm制程相比，其首颗3nm制程GAA工艺芯片面积将缩小35%，性能提高 30% 或功耗降低 50%。三星称其3nm制程良率正在逼近4nm制程，预计2022 年推出第一代3nm 3GAE技术，2023年推出新一代3nm 3GAP技术，2025年2nm 2GAP 制程投产。这些对先进EUV设备的需求将不断提升。

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