LDMOS属于功率半导体器件，主要应用于高压场合。而针对高压芯片的ESD防护领域，可采取GGNLDMOS的设计思路。
在讲解LDMOS的ESD防护机理之前，先要简单解释下LDMOS的工作原理。
图一.nLDMOS结构示意图。
N-LDMOS为了提高器件的耐压性能，在器件内部制作了n-drift区，同时为了提高器件栅极的耐压能力，N-drift上方的栅极是需要盖在场氧之上，将场氧作为氧化层。也是因为这样的设计，整个NLDMOS器件的VGD和VSD的负向耐压很高。（V：D→G，D→S）
而嵌入器件中的N-drif阱的掺杂浓度会低于p-well和n-buffer，其与p-well接触区会形成空间电荷区，根据之前文章的讲解，存在浓度差的线性缓变结其接触面的空间电荷区会主要分布在N-dfift内，如图。
图二. N-drift空间电荷区分布示意图。
当整个器件关断时，这部分空间电荷区等效于在NLDMOS中嵌入一个高耐压“电阻”，也正是因为这个“电阻”的存在，使得器件的Drain端能承受高电压。当栅压开启整个MOS管后，P-well上方的栅还和正常MOS一样在P-well内形成沟道，而N-drift上方的栅会在靠近场氧的区域内形成积累层，从而形成沟道，就如同栅压将空间电荷区往器件内部推进，在场氧下方推出一条“沟道”。
图三. LDMOS的工作原理示意图。
而随着对高耐压性能的追求，越来越多的tips也开始应用到LDMOS的设计中。目前常见的有RESURF、场板、super junction等。
因为NLDMOS的耐压性能也决定了其作为ESD器件的耐压上限，所以这里大概介绍下这三种设计。
RESURF：
图四.体硅RESUFR结构示意图。
RESURF就是在N-drift中继续埋入一层P-Buried，使得N-drift中的空间电荷区分布更大，同时调制电场分布，改变反向击穿的节点。
2.场板：
场板就是图一中Drain上方的M1，M2金属层，金属延伸在Gate上方形成场板。场板通过改变表面电势分布来抑制表面电场的集中，获得更均匀的表面电场分布，从而提高器件的整体耐压性能。
图五.场板电场分布。
场板能一定程度缓解了电力线在冶金结处的集中，降低了冶金结的峰值电场，同时在场板末端引入新的电场峰值，提高耐压能力。
3.Super Junction
超结工艺广泛应用于超高耐压器件，超结是RESURF技术的延伸，通过制造出很深的阱来提高器件耐压能力。
图六.超结示意图。
目前超结工艺能提供600V到1000V的超高压耐压能力，但是超结自身也存在着诸多问题。
因为LDMOS主要应用于工业级和车规级中产品，工作环境更加复杂多变，其对ESD、浪涌的需求也相对较高。所以针对高压ESD设计难度也较大。
