当前受益于半导体制程微缩与3D技术趋势，刻蚀设备已跃升为半导体设备中的第一大设备，使用量持续攀升。

在集成电路芯片制造的总资本开支中，刻蚀设备占据了约22%的份额，是半导体生产流程中的关键设备。

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根据SEMI提供的数据，中国大陆已连续四年稳居全球最大半导体设备市场的宝座。

Gartner人预测进一步指出，2018年至2025年间，中国大陆将新建74座晶圆厂，数量上领先全球。

下游扩产趋势明确，加上半导体全产业链对国产化的迫切需求，为国产刻蚀设备提供新一轮发展机遇。同时，器件结构的多维度升级也加速激发对刻蚀设备的新需求。

刻蚀是光刻之后的关键步骤，通过物理或化学方法精确去除多余薄膜材料，以形成光刻所定义的电路图形。目前主流的刻蚀设备主要分为CCP（电容耦合等离子体）和ICP（电感耦合等离子体）两大类。介质刻蚀技术用于在绝缘材料上雕刻出精细图案，在半导体器件的导电部分之间形成必要的阻挡膜。

刻蚀工艺具有高度复杂性和技术壁垒，早期进入市场的国际巨头如泛林集团、东京电子、应用材料等凭借领先的技术工艺长期垄断全球刻蚀设备市场。

其中，泛林半导体以刻蚀设备为起点，通过自主研发和多次并购，逐步成长为半导体设备行业的巨头。2012年泛林收购了薄膜沉积设备商Novellus Systems，从而形成了刻蚀、薄膜沉积、清洁三大核心业务板块。

国内市场中微公司和北方华创是国产刻蚀设备两家领军企业，分别在CCP和ICP领域占据领先地位。

全球刻蚀设备竞争格局（%）：

北方华创作为国内领先的平台型半导体设备企业，已成功实现12英寸硅片、金属及介质刻蚀机的全面覆盖。截至2023年底，其刻蚀产品系列累计出货量已超过3500腔（其中ICP超过3200腔，CCP超过100腔）。2023年公司新签订订单总额突破300亿元，其中集成电路领域的订单占比超过七成。此外，公司在物理气相沉积（PVD）设备领域也处于国内领先地位，全面覆盖逻辑芯片与存储芯片的金属化制程。

中微公司已掌握从5纳米到65纳米各先进技术节点的关键技术，并正加速推进5纳米及以下关键设备的研发工作。中微公司是国内唯一掌握7纳米/5纳米介质刻蚀技术的企业，已成功进入台积电生产线。目前公司的电感耦合等离子体（CCP）刻蚀设备在国内先进存储芯片研发线中的市场占有率已达35%，并设定了近期将市场占有率提升至85%的目标。

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