据消息，在使用于电动车（EV）等用途的功率半导体市场上，全球前10大厂商当中，有4家为日系厂商。不过在基于第三代半导体材料的SiC（碳化硅）的功率半导体市场上，日系厂商在SiC器件及基板量产方面落后于海外厂商，因此为了维持竞争力，防止SiC功率半导体、基板进一步落后，日本政府及产业界开始积极打造SiC供应链。

据报道，在使用于电动车（EV）等用途的功率半导体市场上，全球前10大厂商当中，有4家为日系厂商。不过在基于第三代半导体材料的SiC（碳化硅）的功率半导体市场上，日系厂商在SiC器件及基板量产方面落后于海外厂商，因此为了维持竞争力，防止SiC功率半导体、基板进一步落后，日本政府及产业界开始积极打造SiC供应链。

比如，在SiC基板方面，日本半导体材料大厂Resonac（昭和电工）计划投资300亿日元增设产线，在山形县工厂增设SiC基板产线，预计将在2027年开始量产，而日本经济产业省最高将补助103亿日元。

除Resonac外，日本半导体材料厂OXIDE已在2024年3月投资数十亿日元，在山梨县北杜市增设了基板产线。而日本晶圆代工厂JS Foundry已决定采用OXIDE生产的基板。另外，功率半导体厂Rohm（罗姆）也在推动SiC基板自产，将自2025年1月起，利用宫崎县工厂量产自家半导体用SiC基板。目前Rohm SiC功率半导体器件全球市占率约8%。

报道称，虽然日本厂商在SiC功率半导体器件的研发上仍具有一定的领先地位，不过在量产上落后于海外厂商。目前全球SiC功率半导体龙头厂为瑞士意法半导体（STMicroelectronics），市占率达33%，在SiC基板部分，除美国厂商外，中国厂商也比较强势，日厂居于弱势。目前日本半导体厂商超过90%的SiC基板均依赖于海外供应。

日本市调机构富士经济（Fuji Keizai）指出，2030年全球SiC功率半导体市场规模预估将扩大至21,747亿日元，将达2023年（3,870亿日元）的5.6倍水准。

日本新能源产业技术综合开发机构（NEDO）4月6日宣布，作为NEDO推动的“战略节能技术创新计划”的一部分，Novel Crystal Technology正在致力于β-Ga2O3肖特基势垒二极管的商业化开发。宣布已成功确认氧化镓 (β-Ga2O3) 肖特基势垒二极管 (SBD)的运行。

氧化镓有望成为超越SiC和GaN性能的材料，有望成为下一代功率半导体，日本和海外正在进行研究和开发。在这种情况下，Novel Crystal Technology将在3O2的β-Ga2O3肖特基势垒二极管商业化项目上致力于商业化本产品的开发，这次，他们决定将正在开发的β-Ga2O3 SBD安装在电流连续型PFC（功率因数校正）电路中，并对其进行实际使用评估。

具体地，在350W输出电源的PFC电路中安装了β-Ga2O3 SBD，进行了连续电流工作的演示测试。结果反向加了390V的电压，此后，当电压从反向切换到正向时，电流流过二极管正向时的电流波形就变成了梯形波最大8A.据说电流连续运行得到确认。

在测试中，他们 还检查了反向恢复特性，并将电路的输出功率与输入功率之比（功率转换效率）与广泛用于相同目的的硅快速恢复二极管（Si FRD）进行了比较。经证实，与 Si FRD 相比，β-Ga2O3 SBD 的效率提高了 1%。

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