存储器是AI系统顺畅运行的基础。大语言模型需要使用大型数据集进行训练以提升性能，具备更高带宽和更高容量的HBM，能够更快速读取和处理数据以进一步加速AI系统的训练进程。经过训练的AI模型被用来执行预测、处理新数据，HBM也能实现对预训练模型和相关数据的高速访问，加速AI推理进程。
HBM的火热，给市场掀起巨大波澜根据预测，2024年HBM需求位年增长率近200%，2025年有望再翻倍。SK海力士与美光曾公开表示，两家2024年的HBM已经售罄，就连2025年的HBM产量也几乎被预订一空。
供不应求的供需关系背后，HBM供应商们各个赚的盆满钵满。甚至在前几年存储市场数个季度持续低迷的态势下，HBM业务仍表现亮眼，成为拉动存储厂商需求提升的关键。
当前，HBM市场格局三分天下。有数据统计，SK海力士占据超过50%的市场份额，三星约占40%，美光市占率或不足10%。若以现阶段主流产品HBM3产品来看，SK海力士于HBM3市场比重超过9成，三星与美光紧追在后。
然而，除了三巨头之外，HBM对设备市场带来增量需求。对前道设备而言，HBM需要通过TSV进行垂直方向连接，会带动刻蚀设备、PECVD、PVD、ECD和减薄抛光等前道设备增量需求，但相对有限。
其中，TC Bonder（热压键合机），就是HBM制造过程的必备设备。
TC键合机对于HBM生产至关重要，它使用热压将芯片键合和堆叠在加工后的晶圆上，对HBM的良率有重大影响。因此，TC键合机被认为是HBM制造过程中不可或缺的设备之一，也是HBM浪潮中受益较大的环节之一。
为了提升HBM内存竞争力，三星再推新技术三星直到12层垂直堆叠HBM产品，一直都在使用热压缩（TC）键合技术。不过，随着HBM堆叠层数的增加，三星可能会选择改进工艺技术，以适应新一代HBM产品的生产需要。三星在之前的一篇采访文章中，再次重申了HBM4正在开发当中，将于2025年首次亮相。
据The Elec报道，三星计划生产的HBM4里，将分为12层及16层垂直堆叠两种，其中以16层垂直堆叠为主，打算在2026年量产。今年4月初，三星通过子公司Semes的混合键合设备生产了16层垂直堆叠的HBM4样品，且运行正常。三星认为，对于16层垂直堆叠及以上的HBM来说，混合键合技术至关重要。
随着堆叠层数的增加，需要缩小芯片之间的间隙，以满足JEDEC的规范要求，这非常具有挑战性。传闻JEDEC将12层及16层垂直堆叠的HBM4高度限制在775微米，这意味着三星需要在这高度内放入17块芯片，包括一块基座芯片和16块存储芯片。
目前三星使用的是TC NCF技术，需要高温高压将材料固化再熔化，然后进行清洗。按照目前的情况来看，12层垂直堆叠里已经逼近极限，引入混合键合技术可以缩小芯片之间的间隙，满足16层垂直堆叠HBM产品的生产需要。
与三星不同，SK海力士采用的是MR-RUF技术，将半导体芯片附着在电路上，使用EMC（液态环氧树脂模塑料）填充芯片之间或芯片与凸块之间的间隙。SK海力士计划2026年开始量产16层垂直堆叠的HBM4，目前正在研究采用MR-MUF和混合键合技术，但暂时良品率还不高。SK海力士认为混合键合技术有可能在不超过775微米的情况下，实现20层以上的堆叠。
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