今年2月份，ASML在荷兰总部向媒体公开展示了其最新一代的High-NA EUV光刻机。作为2nm及以下先进制程的必备“武器”，High-NA EUV虽然性能强大，但价格却十分昂贵，并且安装起来也非常耗时。
下一代光刻机，里程碑英特尔代工厂今天发表声明表示，公司先进半导体制造领域的一个重要里程碑，完成了业界首个商用高数值孔径（高数值孔径）极紫外（EUV）光刻扫描仪的组装，该扫描仪位于该公司俄勒冈州希尔斯伯勒的研发基地。
按照英特尔所说，这个名为TWINSCAN EXE:5000 系统装在43个货运集装箱内的 250 多个板条箱中运输到俄勒冈州。这些货物被装载到降落在西雅图的多架货机上。然后，他们被转移到 20 辆卡车上，开往俄勒冈州。每个新系统的总重量超过 150 吨。
据介绍，高数值孔径 EUV 光刻是超越 EUV 光刻的进化步骤，EUV 光刻使用地球上不自然存在的光波长 (13.5 nm)。这种光是由强大的激光撞击加热到近 22 万摄氏度的锡滴而产生的——几乎比太阳平均表面温度高 40 倍。这种光从包含所需电路图案模板的掩模上反射，然后通过由有史以来最精确的镜子构建的光学系统。
数值孔径 (NA) 是收集和聚焦光线能力的衡量标准。通过改变用于将图案投影到晶圆上的光学器件的设计，高数值孔径 EUV 技术在分辨率和晶体管尺寸方面取得了重大进步。制造这些更小尺寸晶体管的能力还需要新的晶体管结构以及英特尔正在开发的与第一个高数值孔径 EUV 系统集成并行的其他工艺步骤的改进。
英特尔方面表示，来自光刻领导者 ASML 的英特尔 TWINSCAN EXE:5000 High NA EUV 工具目前正在进行校准步骤，为英特尔未来工艺路线图的生产做准备。该新工具能够通过改变将打印图像投影到硅晶圆上的光学设计，显著提高下一代处理器的分辨率和功能扩展。
英特尔院士兼英特尔代工逻辑技术开发光刻、硬件和解决方案总监Mark Phillips表示：
“随着高数值孔径 EUV 的加入，英特尔将拥有业界最全面的光刻工具箱，使该公司能够在本十年后半段推动超越英特尔 18A 的未来工艺能力。”
英特尔表示，高数值孔径 EUV 工具将在先进芯片开发和下一代处理器的生产中发挥关键作用。英特尔代工厂是业界高数值孔径 EUV 的先行者，将能够在芯片制造方面提供前所未有的精度和可扩展性，使该公司能够开发具有最具创新性的特性和功能的芯片，这对于推动人工智能的进步至关重要和其他新兴技术。
为Intel 14A工艺开发做好准备据介绍，Intel20A工艺将是英特尔的下一代制程工艺。该工艺将采用更先进的制程技术，实现更高的晶体管密度和更低的功耗水平。预计该工艺的晶体管密度将比Intel14A工艺提升约35%，并且能效也将进一步改善。这将为未来更高性能、更低功耗的芯片设计提供更多的可能性。
同样，Intel18A工艺也是英特尔的一项重要规划。该工艺将在Intel20A工艺基础上进一步改进，实现更高的晶体管密度和更低的功耗。据预测，Intel18A工艺的晶体管密度将比Intel20A工艺提升约10%。这将进一步提升芯片性能，并为更复杂、功能更强大的应用场景提供支持。
虽然这些工艺还处于规划和研发阶段，但其未来潜力令人期待。英特尔作为一家全球领先的半导体制造商和技术创新企业，持续投入并推动制程技术的进步，为未来数字化社会的需求做好准备。
值得注意的是，在制程研发领域的竞争不断加剧。台积电等竞争对手也在积极研发和推出更先进的制程工艺。英特尔需要保持持续的研发投入和创新，以确保在全球半导体市场中保持竞争优势。
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