台积电与美国商务部宣布签署一项不具约束力的初步协议（PMT），台积电将根据美国《芯片和科学法案》获得高达66亿美元的直接资助，以及高达50亿美元的贷款，将在凤凰城建设第3家晶圆代工厂，到2030年生产2nm或更先进芯片。

据金融时报消息，全球最大的芯片制造商台湾半导体制造公司（TSMC）已向美国政府做出重要承诺，计划从2028年起在亚利桑那州生产其最新2纳米工艺的芯片，这一决策为美国政府将半导体生产迁回国内的努力带来了显著鼓舞。

TSMC的这一计划标志着其在美国的第二家工厂的建立，第一家工厂同样位于亚利桑那州，于2020年宣布，预计将于明年开始生产。此外，TSMC还宣布将其在美国的总投资额从400亿美元增加至650亿美元，用于建设第三家工厂。该工厂预计将采用2纳米或更先进的技术，并计划在2030年前投入运营。

根据2022年通过的芯片法案，美国商务部将向TSMC提供价值66亿美元的补助和高达50亿美元的贷款支持。TSMC的这一承诺将帮助美国政府实现其目标，即到2030年将全球20%的先进半导体制造产能转移到美国本土。

美国商务部长吉娜·雷蒙多表示，TSMC扩展其在亚利桑那州的制造能力，意味着美国将有史以来第一次大规模生产全球最先进的半导体芯片，这将极大地加强美国的国家安全地位。TSMC主席马克·刘也指出，在美国的运营将使其能够更好地支持美国客户，包括一些世界领先的科技公司。

目前全球90%的尖端芯片在台湾制造，美国希望通过提升国内半导体生产能力，减少对外部供应链的依赖，以保障国家安全。

尽管TSMC在本土的尖端工厂投资继续超过在美国的投资，但在美国建立使用2纳米工艺的工厂，将使美国的半导体生产更接近最先进水平。这一进步对于人工智能领域尤为重要，因为AI推动了对计算能力的需求日益增长。

行业分析师指出，虽然TSMC在亚利桑那州的第二家工厂拥有2纳米工艺并不意味着所有芯片都将在美国生产，但这为美国提供了一个选择，能够发出特殊要求，即一定数量的芯片来自亚利桑那州的工厂。这一变化将减少像英伟达和AMD这样的芯片制造商对亚洲生产的依赖，从而提升美国在全球芯片产业中的地位。

台积电计划在美国亚利桑那州凤凰城建设第三座晶圆厂，在美投资总额将超过650亿美元，约合人民币4700亿元。

台积电在美国第一座晶圆厂Fab 21一期工程计划2025年上半年投产，引入5nm、4nm工艺。

Fab 21二期工程计划2028年投产，上马3nm、2nm工艺。

二者合计年产能可超过60万块晶圆，产品市场价值超过400亿美元。

最新规划的第三座晶圆厂计划升级到2nm和更先进工艺，但投产时间未定，可能要到2029-2030年，也就是第二座工厂完工之后。

台积电的这些投资，将为美国创造6000个高科技制造工作岗位，以及超过2万个建筑工作机会，还会花费5000万美元培训当地工人。

不过，台积电在美投资建厂也面临诸多问题，尤其是进度远不如预期，一二期工厂最早规划的投产时间分别是2024年和2026年。

美国《芯片与科学法案》的其他高科技投资还有：Intel 85亿美元直接补贴和110亿美元低息贷款、GlobalFoundries 15亿美元直接补贴、Microchip 1.62亿美元直接补贴、BAE 3500万美元直接补贴。

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