近日，三星宣布将在未来五年内向日本投资高达400亿日元（约合人民币19.92亿元），用于建设一座先进芯片研发设施，地点位于日本神奈川县横滨市。

近两年来，封装和测试设施越来越受到重视，技术层面的研究也变得更加深入。为了适应新一代芯片的制造要求，不少晶圆代工厂都在加快配套的先进设施建设，并加大相关技术的研究，投资规模也越来越大。

三星电子最近在其位于日本横滨的新封装研发基地扩大了员工部署，以加快建设并支持下一代半导体封装技术的发展。此次扩张是在三星2023年决定在横滨的港未来21区设立先进封装实验室（APL）之后进行的。该设施占地约2000坪（6600平方米），将容纳超过100名研发人员来增强半导体封装技术，预计2025年开始运营。

最近的人员增加包括来自建筑运营、人力资源、财务以及三星先进封装（AVP）业务部门的员工，凸显了三星加速APL进展并巩固其在竞争激烈的半导体封装领域中的地位的努力。APL的总投资将达到400亿日元（2.6亿美元）。

值得注意的是，日本政府已宣布将提供2000亿日元的补贴，覆盖总投资的一半。这笔补贴将来自日本的"后5G基金"，该基金致力于支持国内半导体的发展。据行业分析师称，三星选择横滨作为其先进封装研发基地的地点，主要是因为该市聚集了许多与封装相关的公司，并且拥有来自其著名大学的杰出人才库。

据报道，三星计划在APL专注于AI和5G半导体后端工艺技术的研发，这些技术也可能应用于第六代高带宽存储器（HBM），即HBM4。这一重点与日本在后端工艺方面的强大实力一致，这由Ibiden、Shinko Electric、Resonac和Ajinomoto Fine-Techno等知名参与者所展示。韩国行业观察家认为，随着芯片封装技术的重要性不断增加，与日本的合作对三星来说至关重要，以增强其封装能力并缩小与台积电的差距。

据了解，三星于2022年底打造先进封装（APV）业务团队，研发RDL（重布线层）和TSV（硅通孔）等堆叠技术。此外，三星针对SRAM、DRAM和逻辑芯片，将使用SAINT（三星先进互联技术）提供SAINT-S、SAINT-D和SAINT-L三种不同的堆叠解决方案。三星表示，异构集成技术将不同半导体进行纵向或横向的连接，从而在紧凑的封装中集成大量晶体管，并在单一封装中实现不同的功能。

2022年，三星在代工领域的主要竞争对手台积电宣布与索尼合作在熊本县建设28nm晶圆厂。信息显示，台积电熊本第一座晶圆厂兴建工程顺利，目标在2030年将日本当地的采购比重提高至60%。通过与国际半导体领军企业合作，优化提升本土产业链，或成为日本产业界的着眼点。

横滨市市长山中竹春表示，三星研究基地的建立将会带动全球半导体企业的聚集。据了解，在三星提供的核心供应商名单中，日本企业占比约为20%。

据悉，三星计划在APL重点研发AI和5G半导体后端工艺技术，这些技术也可能应用于第六代高带宽存储器（HBM）HBM4。这一重点与日本在后端工艺方面的强大实力相一致，Ibiden、Shinko Electric、Resonac 和 Ajinomoto Fine-Techno 等知名公司都展现了这一实力。

韩国行业观察人士认为，随着芯片封装技术越来越重要，与日本的合作对于三星提升封装能力、缩小与台积电的差距至关重要。

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