在三星等存储原厂龙头开启产品涨价模式之下，价格传导至国内相关厂商特别是存储模组厂等下游公司产品上也只是时间问题。目前，部分国内厂商已经表示不排除产品涨价的可能。同时，有机构向本刊表示，国际存储周期波动相对透明且势必会影响相关公司的股票价格，但投资国内半导体行业的核心逻辑是国产替代。

时移世换，美日荷先进设备管理新规正陆续落地，市场对设备管制担忧情绪逐步消弭，而国内晶圆厂积极向本土设备公司开放工艺验证机会，借此，我国半导体设备厂商仍处在国产化替代的“黄金时期”。

其中，美国10月17日新规细化的半导体设备管制范围主要包括：a.外延设备，包括硅、碳掺杂硅、硅锗或碳掺杂硅锗的外延设备；b.离子注入设备；c.刻蚀设备，包括同向干法刻蚀、原子层刻蚀、用于湿法刻蚀且硅锗与硅的刻蚀选择性比为100倍或更高的设备；d.沉积设备，用于金属互联的阻挡层、衬垫层、种子层、顶盖层的金属沉积设备、PECVD设备（碳硬掩模、低氟钨等）、ALD设备等；e.部分光刻设备；f.用于设计EUV掩模的离子束或物理气相沉积设备；g.用于先进节点制造的退火、清洗设备。

日本经济产业省5月发布的清单涉及：清洗、成膜、热处理、曝光、刻蚀、检查等23个种类，包括极紫外（EUV）相关产品的制造设备和三维堆叠存储器的刻蚀设备等。

基于此，国内先进制程过往数年已实现部分工艺突破，先进制程的扩产也已渐行渐近。国内半导体设备厂商仍在进一步加大产品线的研发投入，除光刻机外，在重点环节均能实现28nm的制程突破，部分刻蚀、清洗环节已经推进至先进制程节点。

其中，涂胶显影、CVD、刻蚀、PVD环节国产化率位于10%～30%之间，清洗（35%）、热处理（40%）、去胶国产化率达到了90%；而ALD、光刻、量检测、离子注入环节国产化率仍然较低，处于5%以下。

而在国产设备替代的相关领域之中，刻蚀、薄膜沉积、光刻、量检测市场规模居前四，分别为418亿、399亿、323亿、228亿人民币，而其中量检测市场空间最大，当前国产化率不足5%。值得提及的是，国产设备厂商也在对关键工艺正不断攻克，提振自主可控信心。

随着全球半导体行业进入下行周期及半导体设备销售到中国受到多方国家的制约，全球半导体设备正提前进入到下行周期。根据SEMI 12月最新预测，2023年全球半导体设备销售额同比下降6%至1009亿美元，预计2024年、2025年分别为1050、1240亿美元，同比+4%、+18%。

从细分市场来看，2023年晶圆制造设备、封装设备、测试设备同比-4%、-31%、-16%，预计2024年同比+3%、+24%、+14%。从需求市场来看，2023年代工/逻辑、NAND、DRAM的半导体设备市场分别同比+6%、-49%、+1%，预计2024年同比-2%、+21%、+3%。

但是，2023年中国大陆半导体设备市场逆势增长，预计将达300亿美元，而前值为283亿美元，占比预计高达29%，与此同时，中国半导体设备国产化仍在进一步的提速，这主要归结于以下几个主要因素：美日荷联盟对中国晶圆制造先进制程的封锁、先进制程和成熟制程的扩产结果导向和部分国产设备0-1的关键性突破。

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