德州仪器正在将其多个工厂的氮化镓（GaN）芯片生产从6英寸晶圆转换为8英寸晶圆。模拟芯片公司正在为达拉斯和日本会津的8英寸晶圆准备设备，这将使其能够提供更具价格竞争力的氮化镓芯片。
自2022年以来，人们普遍认为氮化镓芯片比碳化硅（SiC）芯片更昂贵，但这一情况已经发生了逆转。
德州仪器的GaN解决方案GaN功率器件是可以实现高电子迁移率的晶体管（HEMT）。HEMT是一种场效应晶体管（FET），与同等尺寸的硅功率晶体管相比，HEMT具有更低的导通电阻和更快的开关速度。这一优势使得功率转换更加节能且节省空间。在硅衬底上生长的GaN模块还可以利用现有的硅制造能力。功率HEMT广泛应用于无线基站等领域，并且其可靠性经过验证。
德州仪器的GaN解决方案具备高效率、功率密度和可靠性的特性，TI的GaN产品组合包括控制器、驱动器和稳压器，通过端到端功率转换和5MHz的开关频率来降低功耗。
通过提高功率密度、最大化dV/dt抗扰度以及优化驱动强度，TI的GaN解决方案可以降低噪声并提高效率。例如，使用LMG3410 600V GaN功率级供电的高电压、高效率PFC和LLC参考设计，以及使用LMG5200 80V GaN功率级的多级48V功率转换设计。
TI的GaN生态系统支持新颖独特的拓扑结构，同时减少了设计障碍。模拟和数字GaN FET控制器与TI的GaN功率级和分立GaN FET无缝配对，为工程师提供了更灵活、高效的设计选择。
计划将GaN芯片生产由6吋转成8吋报道指出，德州仪器韩国公司经理Jerome Shin在首尔举行的新闻发布会上表示，德州仪器正积极布局，准备在达拉斯和日本会津兴建全新的8吋晶圆厂。
Jerome Shin进一步指出，尽管过去人们普遍认为GaN芯片相较于碳化硅（SiC）芯片成本更高，但自2022年以来，这一观念已经发生了根本性的转变。
德州仪器通过将生产线从6吋晶圆厂转移到8吋晶圆厂，能够充分利用更大晶圆上更多的芯片空间，从而提高生产效率，并使得量产的GaN芯片价格更加亲民。目前，德州仪器的GaN芯片价格已经低于SiC芯片，展现出强大的市场竞争力。
未来，随着达拉斯和日本会津工厂的改造完成，德州仪器将能够进一步提供更具价格优势的解决方案。据悉，达拉斯工厂的扩产计划预计将于2025年全面完成，然而Jerome Shin并未透露日本会津工厂的具体时间表。
另外，有市场人士表示德州仪器的这一计划可能会导致GaN芯片价格全面下跌。
目前，德州仪器也正在积极推进电源管理芯片的生产线从8吋晶圆厂向12吋晶圆厂的转移。这一举措不仅进一步降低了产业间的电源管理芯片价格，还为德州仪器节省了超过10%的成本。
免责声明：
1、本号不对发布的任何信息的可用性、准确性、时效性、有效性或完整性作出声明或保证，并在此声明不承担信息可能产生的任何责任、任何后果。
2、 本号非商业、非营利性，转载的内容并不代表赞同其观点和对其真实性负责，也无意构成任何其他引导。本号不对转载或发布的任何信息存在的不准确或错误，负任何直接或间接责任。
3、本号部分资料、素材、文字、图片等来源于互联网，所有转载都已经注明来源出处。如果您发现有侵犯您的知识产权以及个人合法权益的作品，请与我们取得联系，我们会及时修改或删除。
