全球最大的内存芯片制造商三星电子公司的目标是在人工智能芯片领域引发话题，今年的高带宽内存（HBM）芯片产量可能会比去年增加一倍。周二在加利福尼亚州圣何塞举行的全球芯片制造商聚会 Memcon 2024 上，三星公司担任副总裁兼 DRAM 产品和技术主管 Hwang Sang-joong 表示，他预计该公司将增加 HBM 芯片产量，今年产量是去年的 2.9 倍。
三星HBM不容小觑HBM芯片作为一种先进的内存芯片技术，能够显著提高动态随机存取存储器（DRAM）的数据处理速度，同时降低延迟、功耗和物理尺寸。在人工智能（AI）技术快速发展的当下，这种芯片的需求正在快速增长。由于其独特的性能优势，HBM芯片与英伟达的GPU配合使用，能够大幅提升计算性能，推动AI技术在各个领域的应用。
摩根大通的分析团队对三星的HBM业务前景持乐观态度。他们预测，在2024-2025财年，三星的HBM收入将达到56亿美元至59亿美元之间。随着HBM芯片密度的提高和组合的增加，该芯片似乎存在合理的上升潜力。这一预测不仅反映了市场对三星微芯片业务的信心，也体现了HBM芯片在AI领域的广阔应用前景。
尽管三星在2023年经历了芯片需求复苏缓慢的困境，净利润同比下降超过70%，收入同比萎缩14%，但业界专家普遍认为，这只是短期的业务萎缩。随着全球经济的复苏和AI技术的广泛应用，未来几年三星的微芯片业务将逐渐恢复到历史数据，并有望继续保持增长态势。
彭博信息研究公司也指出，在经历了2023年的疲软之后，三星的销售额和营业利润可能会在中长期内实现增长。受到生成式AI应用的推动，三星有望在DRAM和NAND闪存芯片领域巩固其领导地位，从而结构性地提高盈利能力。
三星在微芯片领域的成功并非偶然，而是其长期投入和创新的结果。随着全球科技竞争的加剧和AI技术的快速发展，微芯片业务已成为三星未来发展的重要支撑。未来，三星将继续加大在微芯片领域的研发投入，推动技术创新和产品升级，以应对市场变化和满足客户需求。
此次英伟达CEO对三星HBM芯片的认可，无疑为三星的微芯片业务注入了新的动力。未来，我们期待看到三星与更多科技巨头展开深度合作，共同推动微芯片技术的发展和应用，为人类社会的进步做出更大贡献。
三星加快追赶SK海力士的步伐目前，韩国存储器厂商SK海力士在HBM市场中占据领导地位，凭借其DDR5和HBM3的显著增长，稳坐市场领导地位。然而，随着市场竞争的加剧，其他厂商如三星和美光也在积极加入HBM供应阵营，意图扩大市场份额。
据数据显示，目前全球HBM市场呈现“三分天下”的局面，存储芯片三巨头SK海力士、三星和美光分别占到53%、38%和9%的市场份额。
吴雅婷表示，目前2024年HBM（High Bandwidth Memory）市场主流为HBM3，NVIDIA新世代含B100或H200的规格则为最新HBM3e产品。她也指出，目前AI加速卡除了CoWoS封装瓶颈之外，另一个重要限制就是HBM，这其中的主要原因是HBM生产周期较DDR5更长，投片到产出、封装完成需要至少2个季度。
未来，着英伟达、AMD等公司推出新的AI芯片，对HBM的需求也在不断增加。这些新芯片的推出将进一步推动HBM市场的发展，并可能引发新的竞争格局。
不过，HBM的高生产成本也是限制其市场发展的一个因素。尽管AI PC和AI手机对DRAM的需求在增加，但由于生产成本的问题，HBM的整体供应增长可能受到一定限制。
目前海力士、三星、美光正加大研发投入和资本开支，大力扩产并快速迭代HBM，预计2024年HBM3e 24GB/36GB版本将量产/发布，内存性能进一步提高。
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