先进制程竞赛打得火热！ 据韩媒报导，三星6月30日宣布以GAA（环绕式闸极结构）架构量产3纳米制程，超车台积电的意味鲜明。 单就半导体先进制程三雄近期揭露的技术时程来看，三星在这场战局似乎已有迎头赶上之姿，不过，事实真是如此吗？ 究竟，业内是如何看待这场战局？ 未来又有什么观察重点呢？

三星采用GAA架构的3纳米制程正式量产，而台积电（N3）、英特尔（Intel 3）采用FinFET（鳍式场效电晶体）架构的3纳米预计在今年下半年、2023年进入量产，紧接着分别在2025年、2024年进入GAA制程。 依各公司的技术蓝图，三星等于是放话自家的技术已经领先，而英特尔则是目标在埃米世代（Angstrom Era）超车台积电。 不过。 业界普遍认为，这恐怕是宣示的意味大于实际表现。

事实上，英特尔引领半导体产业数十年，业界以它马首是瞻，过去MOSFET （金属氧化物半导体）转往FinFET也是由英特尔率先在22纳米采用，之后全球主要晶圆厂就以此互相较劲，一路延续到5纳米。 不过，近年英特尔制程进度落后，这市场不再只是老大说的算，身为美国半导体门面担当的英特尔当然不能服输，加上现正值转新架构的关键时点，势必得力挽狂澜。

对三星而言，自从台积电成为苹果多款产品的独家供应商后，三星在晶圆代工的市占率上节节败退，所以一定要抄捷径、抢快致胜，因此在3纳米制程选择了GAA架构，与台积电沿用FinFET的策略大不同。 不过，初期量产的规模应该不大，由于用在自家产品上，良率自然不会太差，但之后要帮客户代工就难说了，公司虽未透露客户名单，业界推估，目前有意愿导入的大概只有高通及几家初创公司。

后续先进制程竞争有什么观察重点呢？ 分析师表示，不管是7纳米、6纳米、5纳米、4奈米，这些都还是基于在FinFET的架构，本质上差异并不大，要有更飞越性的效能提升，就要进入新架构，也就是GAA。 其实，GAA比FinFET还早10年出现，只是要量产的难度非常高，未来谁能成功量产GAA，并同时兼顾产能及良率，就会胜出。

分析师指出，尽管三星、英特尔可以将GAA架构优先导入自家产品，比较好实现量产 ，不过，要比大量生产不同客户、不同的产品，台积电绝对是遥遥领先。 现在看起来台积电2纳米GAA进入量产较对手宣示的时间来得较晚，但这势必是经过深思熟虑，要有一定把握度后，再端上大菜给客户。

对芯片商来说，关心的不仅仅只有效能上的提升，另外包括良率、量能、交期都很重要，才能确保稳定供应、让产品准时上市，这些也都是台积电的强项。 这也是为何台积电很有信心，在2纳米进入量产后，仍将会是最成熟、领先的技术，可以支撑客户成长。

此外，近期三星副会长李在镕与英特尔执行长季辛格会面讨论合作，部分人士揣测是否将压制台积电。 不过，分析师认为，三星、英特尔在晶圆代工的合作可能性不高，且两家公司都有大国的自尊，为了自身利益，一定各有盘算。 反观台积电向来秉持「everybody's foundry（大家的代工厂）」，不与客户竞争，更可取得客户的信任。

整体来看，分析师认为，综合供应链管理、技术能力、良率、商业模式、营运管理能力等项指标，台积电都具备极大优势，因此面对对手的步步进逼，虽要谨慎迎战，但对于维持技术领先应都在掌握之中。 相较之下，地缘政治风险则是不可控的因素，尤其大国都在砸银弹扶植本土半导体产业，台积电到海外设厂也需要一定的补贴，未来如何顾好成本、适应新的文化，将会是最大的挑战。