三星（Samsung）宣布3纳米GAA技术量产，产业专家表示，全球GAA生态系统尚未完全到位，三星3纳米GAA技术量产是赶鸭子上架，目前应仅自用，并无外部客户。

三星积极争抢晶圆代工市场版图，为弯道超车劲敌台积电，决定在3纳米抢先采用环绕闸极（GAA）架构，并赶在台积电3纳米下半年量产前，于上半年的最后一天宣布3纳米GAA技术量产。 台积电对此并无评论。

南韩半导体分析师Greg Roh日前受访正面看待三星3纳米制程进展，表示三星3纳米制程良率提升速度远高于市场预期，新增客户速度相当快。

南韩媒体报导，中国挖矿机芯片设计业者上海磐硅半导体是三星3纳米制程的客户，此外，美国晶片厂高通（Qualcomm）也已下订三星3纳米产能，但将视情况投片。

工研院产科国际所研究总监杨瑞临持不同看法，他指出，艾司摩尔（ASML）为比利时微电子研究中心（Imec）生产的首台高数值孔径极紫外光（high-NA EUV）微影曝光设备，预计2023年完成并用于研发，推测三星3纳米GAA技术量产并非采用high-NA EUV微影曝光设备。

此外，GAA相关的蚀刻及量测问题尚待克服，材料、化学品等也需要提升，杨瑞临说，全球GAA生态系统还未完全到位，三星3纳米GAA技术此时量产是「赶鸭子上架」。

杨瑞临表示，三星采用市场现有方案，不是做不到3纳米GAA技术量产，关键是成本会增加、交期会拉长、良率提升速度慢、质量不见得好。 在成本模型难以建立的情况下，三星难以对客户报价，预料三星的3纳米GAA技术应仅自用，不会有外部的客户。

台经院产经资料库研究员暨总监刘佩真也说，三星仍未实际接获3纳米订单，今天宣布量产3纳米制程，宣传意义应大于实质意义。

国内法人指出，三星向来惯用低价策略吸引客户，报价便宜或许可能争取上海磐硅半导体订单，不过散热问题是三星的痛点，高通订单就因此回流台积电; 三星3纳米GAA制程能否解决漏电、散热问题有待观察。

杨瑞临认为台积电先进制程发展时程相对合理且循序渐进，台积电3纳米今年下半年量产，搭配创新的FINFLEX架构，提供晶片设计人员多样化选择，包括支持超高效能、最佳功耗效率与晶体管密度及平衡两者的高效效能。

台积电研究发展资深副总经理米玉杰日前在北美技术论坛中表示，台积电将于2024年取得high-NA EUV曝光设备，因应客户推动创新的需求。

杨瑞临说，届时GAA技术相关生态系统将趋于完备，符合台积电采用纳米片晶体管架构的2纳米制程于2025年开始量产时程规划，预期台积电在先进制程技术上仍将维持领先地位。

刘佩真表示，台积电3纳米制程已掌握苹果（Apple）、英特尔（Intel）及其他重量级客户订单，显然客户对台积电的3纳米制程良率、量产稳定度及产量皆较有信心，相信台积电在先进制程将持续领先全球。